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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种环栅晶体管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115692506B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211477340.4，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权一种环栅晶体管及其制造方法是由李永亮;贾晓锋;王晓磊;罗军;王文武设计研发完成，并于2022-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种环栅晶体管及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种环栅晶体管及其制造方法，涉及半导体技术领域，用于提升环栅晶体管的工作性能。所述环栅晶体管包括：半导体基底、有源结构、第一栅堆叠结构和第二栅堆叠结构。有源结构形成在半导体基底上。有源结构包括源区、漏区、以及位于源区和漏区之间的沟道区。沿源区至漏区的方向，第一栅堆叠结构和第二栅堆叠结构依次环绕在沟道区外周。第一栅堆叠结构包括的第一功函数层和第二栅堆叠结构包括的第二功函数层的材料完全不同，第一功函数层和第二功函数层均为非夹断层。所述环栅晶体管的制造方法用于制造所述环栅晶体管。

本发明授权一种环栅晶体管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种环栅晶体管，其特征在于，包括：半导体基底，形成在所述半导体基底上的有源结构；所述有源结构包括源区、漏区、以及位于所述源区和所述漏区之间的沟道区；所述沟道区包括至少一层纳米线片；每层所述纳米线片均与所述半导体基底之间具有空隙；在所述沟道区包括至少两层所述纳米线片的情况下，相邻两层所述纳米线片之间也具有空隙； 沿所述源区至所述漏区的方向，依次环绕在沟道区外周的第一栅堆叠结构和第二栅堆叠结构；所述第一栅堆叠结构包括的第一功函数层和所述第二栅堆叠结构包括的第二功函数层的材料完全不同，且所述第一功函数层和所述第二功函数层之间具有分界面；所述第一功函数层和所述第二功函数层均为非夹断层；所述第一栅堆叠结构还包括位于所述沟道区和所述第一功函数层之间的第一栅介质层，所述第二栅堆叠结构还包括位于所述沟道区和所述第二功函数层之间的第二栅介质层； 所述非夹断层定义为所述第一功函数层的厚度小于等于所述空隙的高度减去两倍的所述第一栅介质层厚度的差值；以及定义为所述第二功函数层的厚度小于等于所述空隙的高度减去两倍的所述第一栅介质层厚度的差值。

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