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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利光电二极管的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115692549B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211491969.4，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权光电二极管的制造方法是由常富强;范晓;李佳龙;赵德鹏设计研发完成，并于2022-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本光电二极管的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种光电二极管的制造方法，供衬底，在所述衬底上形成有第一外延层以及位于所述第一外延层上的刻蚀阻挡层；在所述刻蚀阻挡层上形成光刻胶层，利用光刻打开所述光刻胶层使得其下方的所述刻蚀阻挡层裸露，之后去除裸露的所述刻蚀阻挡层使得其下方的所述第一外延层裸露，用以定义出刻蚀图形，所述刻蚀图形用于定义出光电二极管图案，相邻两个所述刻蚀图形间距离小于或等于预设值；刻蚀裸露的所述第一外延层形成沟槽，在所述沟槽中形成侧壁保护层；利用各向异性的刻蚀方法刻蚀所述沟槽底部的所述侧壁保护层及其下方的所述第一外延层。本发明可以减小凹槽间外延层各向同性刻蚀的量，光电二极管尺寸增大，副产物较少，不易产生缺陷。

本发明授权光电二极管的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种光电二极管的制造方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、提供衬底，在所述衬底上形成有第一外延层以及位于所述第一外延层上的刻蚀阻挡层； 步骤二、在所述刻蚀阻挡层上形成光刻胶层，利用光刻打开所述光刻胶层使得其下方的所述刻蚀阻挡层裸露，之后去除裸露的所述刻蚀阻挡层使得其下方的所述第一外延层裸露，用以定义出刻蚀图形，所述刻蚀图形用于定义出光电二极管图案，相邻两个所述刻蚀图形间距离小于或等于预设值； 步骤三、刻蚀裸露的所述第一外延层形成沟槽，在所述沟槽中形成侧壁保护层； 步骤四、利用各向异性的刻蚀方法刻蚀所述沟槽底部的所述侧壁保护层及其下方的所述第一外延层，之后利用各向同性的刻蚀方法将相邻所述沟槽间的间隔区域在宽度方向上打通； 步骤五、在所述沟槽上形成位于所述侧壁保护层下方的本征外延层，之后在所述本征外延层上形成第二外延层，所述第二外延层为空气隔离结构，所述沟槽的侧壁为充满空气的一圈封闭的薄壁空间，去除所述侧壁保护层和所述刻蚀阻挡层，之后利用淀积、研磨形成填充剩余所述沟槽的第三外延层。

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