长鑫存储技术有限公司黄金荣获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利灵敏放大器结构以及存储器结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115731972B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211379741.6，技术领域涉及：G11C7/06；该发明授权灵敏放大器结构以及存储器结构是由黄金荣设计研发完成，并于2022-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本灵敏放大器结构以及存储器结构在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种灵敏放大器结构以及存储器结构，灵敏放大器结构包括：位于基底上的沿第一方向间隔排布的多个有源区组，每个有源区组包括多个沿第二方向间隔排布的有源区；位于有源区上的间隔排布的第一栅极以及第二栅极，位于同一有源区上的第一栅极以及第二栅极均沿同一方向延伸，延伸的方向为栅极延伸方向；其中，栅极延伸方向与第一方向以及第二方向均不相同，且对于同一有源区，在栅极延伸方向上，第一栅极的长度和第二栅极的长度均大于有源区在第一方向上的最大长度，并且均大于有源区在第二方向上的最大长度。本公开实施例至少有利于改善灵敏放大器的电学性能。
本发明授权灵敏放大器结构以及存储器结构在权利要求书中公布了：1.一种灵敏放大器结构，其特征在于，包括： 位于基底上的沿第一方向间隔排布的多个有源区组，每个所述有源区组包括多个沿第二方向间隔排布的有源区； 位于所述有源区上的间隔排布的第一栅极以及第二栅极，位于同一所述有源区上的所述第一栅极以及所述第二栅极均沿同一方向延伸，所述延伸的方向为栅极延伸方向，所述第一栅极和所述第二栅极分别用于作为灵敏放大器的两个上拉晶体管的栅极或者灵敏放大器的两个下拉晶体管的栅极； 其中，所述栅极延伸方向与所述第一方向以及所述第二方向均不相同，且对于同一所述有源区，在所述栅极延伸方向上，所述第一栅极的长度为第一长度，所述第一长度大于所述有源区在所述第一方向上的最大长度，并且所述第一长度大于所述有源区在所述第二方向上的最大长度；所述第二栅极的长度为第二长度，所述第二长度大于所述有源区在所述第一方向上的最大长度，并且所述第二长度大于所述有源区在所述第二方向上的最大长度。
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