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龙图腾网获悉国创重芯科技(深圳)有限公司申请的专利一种半导体芯片的制造方法及半导体芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115732328B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211578021.2，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种半导体芯片的制造方法及半导体芯片是由张海雷;钟庆设计研发完成，并于2022-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体芯片的制造方法及半导体芯片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体芯片的制造方法，包括如下步骤：在半导体基片上生长硬掩模介质层，所述半导体基片包括浓掺杂的衬底和轻掺杂的外延层，衬底和外延层的掺杂类型为N型；以硬掩模介质层为阻挡层，采用光刻、刻蚀工艺，在半导体基片上形成沟槽；去除所述硬掩模介质层，生长第一氧化硅、氮化硅以及第二氧化硅；采用化学机械研磨工艺，去除高出所述氮化硅上表面的第二氧化硅，保留所述沟槽中的第二氧化硅；采用离子注入、退火工艺，在所述外延层之中形成第一P型掺杂区；采用腐蚀工艺，去除所述沟槽中的部分第二氧化硅；本发明提供一种半导体芯片，本发明公开的一种半导体芯片的制造方法及半导体芯片具有减小MOSFET芯片的导通电阻等优点。

本发明授权一种半导体芯片的制造方法及半导体芯片在权利要求书中公布了：1.一种半导体芯片的制造方法，其特征在于，包括如下步骤： 在半导体基片上生长硬掩模介质层，所述半导体基片包括浓掺杂的衬底和轻掺杂的外延层，衬底和外延层的掺杂类型为N型； 以硬掩模介质层为阻挡层，采用光刻、刻蚀工艺，在半导体基片上形成沟槽； 去除所述硬掩模介质层，生长第一氧化硅、氮化硅以及第二氧化硅； 采用化学机械研磨工艺，去除高出所述氮化硅上表面的第二氧化硅，保留所述沟槽中的第二氧化硅； 采用离子注入、退火工艺，在所述外延层之中形成第一P型掺杂区； 采用腐蚀工艺，去除所述沟槽中的部分第二氧化硅； 采用离子注入工艺，在第一P型掺杂区的上表层和侧表层形成第二P型掺杂区； 采用腐蚀工艺，再次去除所述沟槽中的部分第二氧化硅； 采用离子注入工艺，在所述沟槽侧壁的外延层之中形成N型掺杂区； 采用腐蚀工艺，依次去除全部的第二氧化硅、氮化硅以及第一氧化硅； 采用热氧化工艺，生长第三氧化硅即栅氧化层； 淀积多晶硅，并去除高出所述第三氧化硅上表面的多晶硅，保留所述沟槽中的多晶硅； 采用光刻、离子注入、退火工艺，形成源区，然后制作接触孔。

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