矽力杰半导体技术(杭州)有限公司王欢获国家专利权
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龙图腾网获悉矽力杰半导体技术(杭州)有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115732567B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211638965.4，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权半导体器件及其制造方法是由王欢设计研发完成，并于2022-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：公开了一种半导体器件及其制造方法，其在漏电极设置第一导电柱和第二导电柱，第一导电柱连接至金属硅化物，通过金属硅化物连接漂移区，第二导电柱直接连接至漂移区。本发明提供的半导体器件及其制造方法设置两种导电柱引出漏电极，可在漂移区无漏掺杂区的情况下实现漏电极的引出，降低了漏掺杂区对半导体器件的横向尺寸的占用，为半导体器件的横向尺寸的降低提供了便利。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 半导体掺杂区；图案化的层间介质层，设置在所述半导体掺杂区上； 电极结构，通过所述层间介质层的开孔连接至所述半导体掺杂区，其中，所述半导体掺杂区上还包括图案化的金属硅化物层，所述电极结构包括第一导电柱和第二导电柱，所述第一导电柱通过所述金属硅化物层连接至所述半导体掺杂区的上表面，所述第二导电柱直接连接至同一个所述半导体掺杂区上表面，所述半导体掺杂区内不包括与所述第一导电柱和所述第二导电柱接触的重掺杂区，所述半导体掺杂区的掺杂浓度不大于1018cm‑3。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人矽力杰半导体技术(杭州)有限公司，其通讯地址为：310051 浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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