南京元感微电子有限公司任青颖获国家专利权
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龙图腾网获悉南京元感微电子有限公司申请的专利一种FET加热的插指气敏传感器及其加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115774043B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211372269.3，技术领域涉及：G01N27/12；该发明授权一种FET加热的插指气敏传感器及其加工方法是由任青颖;柳俊文;史晓晶;李卫;胡引引设计研发完成，并于2022-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种FET加热的插指气敏传感器及其加工方法在说明书摘要公布了：本发明涉及传感器技术领域，公开一种FET加热的插指气敏传感器及其加工方法。其中FET加热的插指气敏传感器包括：衬底，其上设有隔热腔室，隔热腔室内设有硅岛，硅岛与衬底间隔设置；绝缘层，设置在硅岛和衬底的同一侧；FET加热组件，包括源极、栅极及漏极，源极和漏极间隔形成在硅岛内，栅极位于源极和漏极之间，源极和漏极导通时能够产生热量；插指敏感电极，形成在绝缘层上；气敏层，覆盖在插指敏感电极上，气敏层的电阻率变化能够通过插指敏感电极输出。本发明公开的FET加热的插指气敏传感器，结构简单，易于加工，具有加热均匀、功耗低及寿命长的特点，利于FET加热的插指气敏传感器的小型化和集成化设计。
本发明授权一种FET加热的插指气敏传感器及其加工方法在权利要求书中公布了：1.一种FET加热的插指气敏传感器，其特征在于，包括： 衬底，其上设有隔热腔室，所述隔热腔室内设有硅岛，所述硅岛与所述衬底间隔设置； 绝缘层，设置在所述硅岛和所述衬底的同一侧； FET加热组件，包括源极、栅极及漏极，所述源极和所述漏极间隔形成在所述硅岛内，所述栅极位于所述绝缘层内且位于所述源极和所述漏极之间，所述源极和所述漏极导通时能够产生热量； 插指敏感电极，形成在所述绝缘层上； 气敏层，覆盖在所述插指敏感电极上，所述气敏层的电阻率变化能够通过所述插指敏感电极输出； 所述绝缘层包括绝缘层本体和连接层，所述连接层沿所述绝缘层本体的一端向外延伸，所述连接层的延长线经过所述绝缘层本体的中心，所述绝缘层本体为正方形，所述连接层的个数为四个，每个所述连接层均位于所述绝缘层本体的拐角处，每个所述连接层与所述绝缘层本体的长边和宽边的角度均为135°。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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