上海矽印科技有限公司朱健军获国家专利权
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龙图腾网获悉上海矽印科技有限公司申请的专利一种SPAD像素结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115799363B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211683086.3，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权一种SPAD像素结构是由朱健军;江建明;武大猷;李高志;严梨花设计研发完成，并于2022-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种SPAD像素结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种SPAD像素结构，是通过离子注入方式，分别在硅的外延层epi中注入SPAD‑N与SPAD‑P两种杂质，形成SPAD的PN结，两种离子注入的版图和掩模中在水平方向相切，在SPAD‑P左侧预留外延层P‑EPI，SPAD两端电压主要消耗在它两形成的SPAD‑N和SPAD‑P上；P‑EPI的左侧是用来接受电流的PW和降低接触电阻的P+。本发明通过改变SPAD中PN结成型的方向，同时用外延层做缓冲使得耗尽区厚度显著增加，同时新结构SPAD耗尽层沿着电场方向有效宽度可以灵活设置，进一步增加了载流子雪崩区域，从而极大的提高了传感器的光子探测灵敏度。
本发明授权一种SPAD像素结构在权利要求书中公布了：1.一种SPAD像素结构，其特征在于，该SPAD像素结构是通过离子注入方式，分别在硅的外延层epi中注入SPAD‑N与SPAD‑P两种杂质，形成SPAD的PN结，两种离子注入的版图和掩模中在水平方向相切，调节SPAD击穿电压； 在SPAD‑P左侧预留外延层P‑EPI，工作模式中，SPAD被全部耗尽，继续增大电压，耗尽区向P‑EPI中迅速扩展； SPAD两端电压消耗在它两形成的SPAD‑N和SPAD‑P上，其中的电场最强，但同时也会在EPI中形成一个电场，这个电场会把P‑EPI中光电子输运到高场区域，从而增加耗尽区的宽度；P‑EPI的左侧是用来接受电流的PW和降低接触电阻的P+。
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