厦门未来显示技术研究院有限公司史成丹获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门未来显示技术研究院有限公司申请的专利一种半导体发光元件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115799414B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211614417.8，技术领域涉及：H10H20/81；该发明授权一种半导体发光元件及其制作方法是由史成丹;卓祥景;万志;王莎莎;尧刚;程伟设计研发完成，并于2022-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体发光元件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体发光元件及其制作方法，其所述外延叠层包括依次堆叠的N型半导体层、有源区、P型半导体层以及贯穿所述有源区的V型凹坑；且，在所述N型半导体层和所述有源区之间还设有静电荷收集层，所述V型凹坑的尖端延伸至所述静电荷收集层，且所述N型半导体层具有穿透位错。从而，通过所述静电荷收集层将外延叠层下表面即N型半导体层一侧的静电荷收集；然后利用穿透位错与V型凹坑构成漏电通道，将静电荷输送到外延叠层表面即P型半导体层一侧与表面累积的正电荷发生中和；藉以实现：避免静电荷在外延叠层下表面的累积，降低半导体发光元件被静电击穿的风险，提高半导体发光元件的抗静电能力的有益效果。
本发明授权一种半导体发光元件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体发光元件，其特征在于，包括： 衬底以及设置于所述衬底表面的外延叠层；所述外延叠层至少包括沿第一方向依次堆叠的N型半导体层、有源区、P型半导体层以及贯穿所述有源区的V型凹坑；第一方向垂直于所述衬底，并由所述衬底指向所述外延叠层； 其中，在所述N型半导体层和所述有源区之间还设有静电荷收集层，所述V型凹坑的尖端延伸至所述静电荷收集层，且所述N型半导体层具有穿透位错； 其中，所述静电荷收集层具有N型掺杂，且所述静电荷收集层的掺杂浓度大于所述N型半导体层的掺杂浓度。
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