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龙图腾网获悉天狼芯半导体(成都)有限公司申请的专利一种高耐压型氮化镓MOSFET器件、制备方法及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115810659B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211508297.3，技术领域涉及：H10D64/00；该发明授权一种高耐压型氮化镓MOSFET器件、制备方法及芯片是由刘杰;黄汇钦设计研发完成，并于2022-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高耐压型氮化镓MOSFET器件、制备方法及芯片在说明书摘要公布了：本申请属于半导体技术领域，提供了一种高耐压型氮化镓MOSFET器件、制备方法及芯片，通过在氮化镓漂移层与栅极绝缘层之间形成多个依次层叠设置的介质场板层，介质场板层与所述栅极绝缘层之间的距离与所述介质场板层的宽度呈反比例关系，且每层所述介质场板层内设有隔离金属层，使得长短不一的介质场板层和隔离金属层可以在与氮化镓漂移层之间的界面形成台阶尖角，从而在氮化镓漂移层内形成多个电场尖峰，以分担栅极绝缘层的尖角结构所造成的电场聚集，达到均匀化电场、降低栅极绝缘层承担的电场尖峰的目的，避免电场集中在栅极绝缘层上，实现提升高耐压型氮化镓MOSFET器件的击穿电压的效果。

本发明授权一种高耐压型氮化镓MOSFET器件、制备方法及芯片在权利要求书中公布了：1.一种高耐压型氮化镓MOSFET器件，其特征在于，所述高耐压型氮化镓MOSFET器件包括： 氮化镓衬底； 氮化镓漂移层，设于所述氮化镓衬底的正面； 第一N型掺杂区、第二N型掺杂区以及栅极绝缘层，设于所述氮化镓漂移层上；其中，所述栅极绝缘层呈凹形，且所述第一N型掺杂区、所述第二N型掺杂区分别设于所述栅极绝缘层两侧； 栅极材料层，设于所述栅极绝缘层的凹槽内壁； 第一P型基区以及第一P型掺杂层，设于所述第一N型掺杂区上； 第二P型基区以及第二P型掺杂层，设于所述第二N型掺杂区上； 第一源极掺杂区、第二源极掺杂区，分别设于所述第一P型基区和所述第二P型基区上； 源极金属层，与所述第一P型掺杂层、所述第二P型掺杂层、所述第一源极掺杂区以及所述第二源极掺杂区接触； 电介质层，设于所述源极金属层与所述栅极材料层之间；其中，所述电介质层呈凸形结构，所述电介质层的凸起部位于所述栅极材料层的凹槽内； 漏极金属层，设于所述氮化镓衬底的背面； 多个依次层叠设置的介质场板层，设于所述栅极绝缘层与所述氮化镓漂移层之间；其中，所述介质场板层与所述栅极绝缘层之间的距离与所述介质场板层的宽度呈反比例关系，且每层所述介质场板层内设有隔离金属层。

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