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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利一种半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115836394B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080102939.2，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种半导体器件及其制造方法是由汤岑;饶进;刘涛;李海军;鲁微;乐伶聪;马俊彩;张志利设计研发完成，并于2020-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件可以包括衬底、栅极、第二介质层、场板，其中衬底上具有第一介质层，第一介质层在第一区域的厚度大于在第一区域之外的第二区域的厚度，栅极位于衬底上且位于第一区域，栅极包括垂直衬底表面的方向上连接的第一栅极结构和第二栅极结构，第一栅极结构垂直衬底表面的方向上贯穿第一介质层，第二栅极结构形成于第一介质层远离所述衬底的一侧且覆盖部分第一介质层，第二介质层覆盖栅极和第一介质层，场板位于第二介质层上，且同时存在于第一区域和第二区域，这样，第二栅极结构和漏极之间的电容降低，而场板与沟道之间的电容增加，使器件的寄生电容减小，提高器件在高频下的增益特性。

本发明授权一种半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底上具有第一介质层，所述第一介质层在第一区域的厚度大于在所述第一区域之外的第二区域的厚度；所述第一介质层包括第一子膜层和第二子膜层，所述第一子膜层覆盖所述衬底，且所述第二子膜层位于所述第一子膜层上的第一区域，所述第二子膜层的不垂直的侧壁位于所述第一区域，所述第二子膜层的侧壁与栅极包括的第二栅极结构的侧壁在一条直线上；或，所述第一子膜层位于所述衬底上且位于第一区域，所述第二子膜层覆盖所述第一子膜层以及所述第一子膜层之外的第二区域的衬底，所述第二子膜层覆盖所述第一子膜层的侧壁的部分位于所述第一区域，所述第一子膜层在沿衬底表面方向的投影的尺寸小于所述第一区域在沿衬底表面方向的投影的尺寸，且所述第一子膜层在沿衬底表面方向处于栅极包括的第二栅极结构在沿衬底表面方向的覆盖下方； 栅极，所述栅极位于所述衬底上且位于所述第一区域，所述第一区域是用于形成所述栅极的区域，所述栅极包括垂直衬底表面的方向上连接的第一栅极结构和第二栅极结构，所述第一栅极结构沿垂直所述衬底表面的方向贯穿所述第一介质层，所述第二栅极结构形成于所述第一介质层远离所述衬底的一侧且覆盖部分第一介质层； 覆盖所述栅极和所述第一介质层的第二介质层； 位于所述第二介质层上的场板；所述场板同时存在于所述第一区域和所述第二区域。

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