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龙图腾网获悉苏州珂晶达电子有限公司;北京微电子技术研究所申请的专利一种集成电路版图的设计良率确定方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115859896B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211436103.3，技术领域涉及：G06F30/392；该发明授权一种集成电路版图的设计良率确定方法及装置是由周洁云;陈智卫;贡顶;王亮;彭惠薪;周群博设计研发完成，并于2022-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成电路版图的设计良率确定方法及装置在说明书摘要公布了：本申请提供一种集成电路版图的设计良率确定方法及装置。该方法包括：对集成电路版图每个关键层进行光学邻近效应修正，采用各个光刻仿真模型对修正数据进行光刻仿真并确定光刻热点位置，获取各个仿真轮廓上光刻热点位置对应的关键尺寸，对所有关键尺寸进行韦伯分布拟合，从累积概率分布函数上获取最小预设关键尺寸的失效概率，再结合所有光刻热点位置对应的失效概率确定修正数据的设计良率，根据各个修正数据的设计良率，确定集成电路版图的设计良率。整个方法通过光刻模型分析光刻工艺波动引起的设计良率变化，通过光刻热点统计信息，分析集成电路器件的失效概率，从而可以提前发现设计问题，进而提高晶圆生产中的制造良率，提升制程稳定性。

本发明授权一种集成电路版图的设计良率确定方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种集成电路版图的设计良率确定方法，其特征在于，包括： 获取集成电路版图文件以及对应工艺节点下的光刻工艺的计算光刻模型；所述集成电路版图文件包括至少一个关键层，所述计算光刻模型包括至少一个关键层模型，所述关键层模型用于对匹配的关键层进行所述光刻工艺的建模和仿真； 针对任一关键层，对所述关键层进行光学邻近效应修正，得到修正数据； 利用所述关键层匹配的各个计算光刻仿真模型，分别对所述修正数据进行光刻仿真，获取仿真成像平面上形成的各个仿真轮廓，所述各个计算光刻仿真模型是基于对所述关键层匹配的关键层模型进行工艺波动模拟所生成的； 从各个仿真轮廓上检测光刻热点位置，所述光刻热点位置为小于最小预设关键尺寸的关键尺寸所对应的位置，所述关键尺寸为所述仿真轮廓的最小轮廓间距； 针对任一光刻热点位置，获取各个仿真轮廓中所述光刻热点位置所对应的关键尺寸； 对所述光刻热点位置所对应的所有关键尺寸进行韦伯分布拟合，获取所述光刻热点位置的韦伯概率分布函数和累积概率分布函数，所述累积概率分布函数用于表示各个关键尺寸的失效概率； 基于所述光刻热点位置的累积概率分布函数，获取最小预设关键尺寸的失效概率； 基于各个光刻热点位置对应的最小预设关键尺寸的失效概率，得到所述关键层经过光学邻近效应修正后的设计良率； 基于各个关键层经过光学邻近效应修正后的设计良率，得到所述集成电路版图文件针对所述光刻工艺的设计良率。

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