华灿光电(浙江)有限公司兰叶获国家专利权
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龙图腾网获悉华灿光电(浙江)有限公司申请的专利改善侧向出光的发光二极管、阵列及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115939281B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211729176.1，技术领域涉及：H10H20/84；该发明授权改善侧向出光的发光二极管、阵列及其制备方法是由兰叶;朱广敏;王江波;吴志浩;张威设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本改善侧向出光的发光二极管、阵列及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种改善侧向出光的发光二极管、阵列及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：外延层、钝化层和遮光层，所述钝化层环绕包覆所述外延层的侧壁，所述遮光层环绕包覆所述钝化层；所述外延层的侧壁具有多个导光部，所述遮光层中具有与所述导光部一一对应的封闭腔体，所述封闭腔体与对应的所述导光部相对，所述封闭腔体中远离所述外延层的内壁用于反光；在所述遮光层靠近所述外延层的一侧至所述遮光层远离所述外延层的一侧的方向上，所述封闭腔体的宽度为所述外延层发出的光的波长的整数倍。本公开能改善发光二极管侧向出光的问题，提升发光二极管出光效果。
本发明授权改善侧向出光的发光二极管、阵列及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：外延层10、钝化层20和遮光层30，所述钝化层20环绕包覆所述外延层10的侧壁，所述遮光层30环绕包覆所述钝化层20； 所述外延层10的侧壁具有多个导光部101，所述遮光层30中具有与所述导光部101一一对应的封闭腔体31，所述封闭腔体31与对应的所述导光部101相对，所述封闭腔体31中远离所述外延层的内壁用于反光； 在所述遮光层30靠近所述外延层10的一侧至所述遮光层30远离所述外延层10的一侧的方向上，所述封闭腔体31的宽度为所述外延层10发出的光的波长的整数倍。
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