格芯新加坡私人有限公司K·J·黄获国家专利权
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龙图腾网获悉格芯新加坡私人有限公司申请的专利高电压静电器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115985904B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211252549.0，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权高电压静电器件是由K·J·黄;R·J·小戈捷;曾杰设计研发完成，并于2022-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本高电压静电器件在说明书摘要公布了：本公开涉及高电压静电器件。本公开涉及半导体结构，更具体地涉及高电压静电放电器件的改进的导通电压及制造方法。该结构包括高电压NPN，该高电压NPN具有位于基极区处的隔离结构上的多晶硅材料，多晶硅材料延伸到双极结型晶体管BJT的集电极和发射极中的至少一者，并且多晶硅材料完全覆盖BJT的基极区。
本发明授权高电压静电器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其包括具有多晶硅材料的高电压NPN，所述多晶硅材料由位于集电极区和发射极区处的硅化物阻挡层界定，所述多晶硅材料位于基极区处的隔离结构上，所述多晶硅材料延伸到双极结型晶体管BJT的集电极和发射极中的至少一者，并且所述多晶硅材料完全覆盖所述BJT的所述基极区；以及位于所述集电极与所述基极区之间的外延半导体材料。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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