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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利存储单元、半导体器件及存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116072180B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310114758.7，技术领域涉及：G11C11/4074；该发明授权存储单元、半导体器件及存储器是由陈志勇设计研发完成，并于2023-02-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储单元、半导体器件及存储器在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种存储单元、半导体器件及存储器，其中，所述存储单元至少包括：第一晶体管和第二晶体管；所述第一晶体管的控制端和所述第二晶体管的控制端相连，且所述第一晶体管的第一端和所述第二晶体管的第一端相连；所述第一晶体管的第二端连接第一电压，所述第二晶体管的第二端连接第二电压；所述存储单元基于所述第一晶体管或者所述第二晶体管的寄生电容存储数据。

本发明授权存储单元、半导体器件及存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 沿第三方向依次堆叠的存储阵列，所述存储阵列包括沿第一方向和第二方向阵列排布的多个存储单元、以及与每一所述存储单元连接的控制晶体管；所述存储单元由第一晶体管、第二晶体管以及第三晶体管构成，所述第一晶体管的控制端和所述第二晶体管的控制端相连，且所述第一晶体管的第一端和所述第二晶体管的第一端相连；所述第一晶体管的第二端连接第一电压，所述第二晶体管的第二端连接第二电压；所述第三晶体管的控制端与所述第一晶体管和所述第二晶体管的第一端连接，所述第三晶体管的第一端与所述第一晶体管和所述第二晶体管的控制端连接，所述第三晶体管的第二端连接所述第二电压； 其中，所述存储单元基于所述第一晶体管或者所述第二晶体管的寄生电容存储数据； 所述第一晶体管与所述第三晶体管共同用于锁存写入所述存储单元的数据，或者，所述第二晶体管与所述第三晶体管共同用于锁存写入所述存储单元的数据； 其中，所述控制晶体管的控制端与字线连接，所述控制晶体管的第一端与位线连接，所述控制晶体管的第二端与所述存储单元中的所述第一晶体管和所述第二晶体管的控制端相连； 所述控制晶体管至少用于控制所述存储单元进行数据存储； 其中，构成每一所述存储单元的所述第一晶体管、第二晶体管以及第三晶体管与对应的所述控制晶体管分别作为端点，构成矩形排布。

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