长鑫存储技术有限公司高远皓获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体结构及其形成方法、晶圆键合方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116072547B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111268970.6，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权一种半导体结构及其形成方法、晶圆键合方法是由高远皓设计研发完成，并于2021-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其形成方法、晶圆键合方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种半导体结构及其形成方法、晶圆键合方法，其中，半导体结构的形成方法包括：提供形成有半导体器件的晶圆；在所述晶圆中形成盲孔；在所述盲孔内，沉积第一金属材料以形成硅通孔；去除所述晶圆表面沉积的第一金属材料，并平坦化所述晶圆表面。
本发明授权一种半导体结构及其形成方法、晶圆键合方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供形成有半导体器件的晶圆；所述提供形成有半导体器件的晶圆，包括：提供衬底； 在所述衬底上形成所述半导体器件和层间介质层；其中，所述半导体器件包括存储器件及金属互连层；所述金属互连层位于所述层间介质层中； 在所述晶圆中形成盲孔，所述盲孔从所述层间介质层的表面延伸到所述衬底中； 在所述盲孔内，沉积第一金属材料以形成硅通孔； 去除所述晶圆表面沉积的第一金属材料，并平坦化所述晶圆表面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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