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龙图腾网获悉上海集成电路材料研究院有限公司申请的专利一种化学机械抛光工艺中保持环结构的仿真方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116090365B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310025206.9，技术领域涉及：G06F30/28；该发明授权一种化学机械抛光工艺中保持环结构的仿真方法是由刘奕然;关子钧;李卫民;黄嘉晔;俞文杰设计研发完成，并于2023-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种化学机械抛光工艺中保持环结构的仿真方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种化学机械抛光工艺中保持环结构的仿真方法，包括构建化学机械抛光工艺的CFD模型，流体区域划分为离散网格，所述网格是不重复的控制体积，在各个控制体积内，使用动量方程、连续性方程和VOF模型控制抛光液流体运动，DPM模型控制磨料运动，动量方程、连续性方程和VOF模型针对各个控制体积积分以得到离散方程，求解离散方程得到仿真数据，仿真数据包括磨料运动数据，根据磨料运动数据绘制磨料分布，磨料在抛光垫上和或晶圆边缘聚集状态，具有有益效果：通过有限元的方法将抛光液磨料流动可视化，帮助理解保持环对抛光液流动的影响，为解决晶圆边缘过抛提供保持环结构改进，贴合现实生产工艺，仿真精度高。

本发明授权一种化学机械抛光工艺中保持环结构的仿真方法在权利要求书中公布了：1.一种化学机械抛光工艺中保持环结构的仿真方法，包括： 步骤100：构建抛光垫压缩模型，包括晶圆和抛光垫，所述晶圆向所述抛光垫施加载荷，所述抛光垫被压缩后形变量为d； 步骤200：构建化学机械抛光工艺的CFD模型，所述CFD模型包括： 所述抛光垫的尺寸、转速、孔隙、孔隙率、弹性模量、泊松比和密度中的至少一种； 所述晶圆的尺寸、转速、弹性模量、泊松比和密度中的至少一种； 抛光液的流速、粘度和密度中的至少一种，所述抛光液的流体区域，所述抛光液中磨料的尺寸； 保持环的形状，包括所述保持环表面上槽分布和槽形状； 还包括步骤210～步骤250，步骤210：将所述流体区域划分为离散网格，所述网格是不重复的控制体积，步骤220：在各个所述控制体积内，使用动量方程、连续性方程和VOF模型控制所述抛光液流体运动，DPM模型控制磨料运动，所述动量方程、所述连续性方程和所述VOF模型针对各个所述控制体积积分以得到离散方程，求解所述离散方程得到仿真数据，所述仿真数据包括磨料运动数据，步骤230：根据所述磨料运动数据绘制磨料分布，步骤240：观察磨料在抛光垫上和或晶圆边缘聚集状态，聚集状态改善则执行步骤300，聚集状态未改善则执行步骤250再依次执行步骤210～步骤240，步骤250：改进所述保持环； 步骤300：输出结果； 所述连续性方程采用公式4，所述动量方程采用公式5控制所述抛光液在所述流体区域的运动，其中，ρ是所述控制体积中所述磨料的密度，t是所述抛光液的流动时长，u是所述抛光液的流动速度，Sm是从所述磨料的分散相和添加到连续相的质量； 其中，p是所述抛光液的静压，是所述抛光液的应力张量，和是所述磨料的分散相的相互作用而产生的引力和外力。

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