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龙图腾网获悉电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院申请的专利一种屏蔽栅沟槽MOSFET获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116093163B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310322007.4，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权一种屏蔽栅沟槽MOSFET是由王卓;胡鲲;乔明;张波设计研发完成，并于2023-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种屏蔽栅沟槽MOSFET在说明书摘要公布了：本发明提供一种屏蔽栅沟槽MOSFET，包括从下到上依次设置N型重掺杂衬底、N型轻掺杂外延漂移层、P型扩散区、N型重掺杂扩散区、在垂直方向构建深槽、浅槽，深槽内构建屏蔽栅多晶硅与控制栅多晶硅，分别用隔离场氧与栅氧与沟槽边缘隔离，浅槽内构建控制栅多晶硅，用栅氧与沟槽边缘隔离，器件构建金属电极隔离氧，贯穿隔离氧、N型轻掺杂扩散区、P型扩散区构建梯形金属电极、金属电极与P型扩散区之间形成P型高掺杂区、器件顶部形成源极、器件底部形成漏极。本发明充分利用浅槽的抗翘曲能力大于深槽的原理，将控制器件开关的浅槽与形成电荷平衡的深槽垂直分布，相对于深槽垂直深槽分布，提高器件整体的抗翘曲能力。

本发明授权一种屏蔽栅沟槽MOSFET在权利要求书中公布了：1.一种屏蔽栅沟槽MOSFET，其特征在于包括：N型重掺杂衬底1、位于N型重掺杂衬底1上的漂移层2、漂移层2上部的P型扩散区3、位于P型扩散区3顶部的N型重掺杂扩散区4；位于N型重掺杂扩散区4上部的金属电极隔离氧11，贯穿金属电极隔离氧11与N型重掺杂扩散区4与P型扩散区3的楔形金属电极12、位于N型重掺杂扩散区4与P型扩散区3之间的P型重掺杂区13、位于器件顶部与楔形金属电极12接触的源极电极14、位于器件底部与N型重掺杂衬底1接触的漏极电极15； 任取两相邻台面连线为剖面线AA’，沿AA’截面方向，在漂移层2内部设有深槽5，深槽5的底部靠近漂移层2与N型重掺杂衬底1的交界处，深槽5内底部及侧壁设有隔离场氧7，隔离场氧7内部为屏蔽栅多晶硅8，深槽5上部屏蔽栅多晶硅8的两侧上方为控制栅多晶硅10，控制栅多晶硅10两侧的侧壁为栅氧化层9； BB’截面与AA’截面之间的夹角为α，α取0度到180度之间任意值，沿BB’的截面方向，在漂移层2内部设有浅槽6，浅槽6的深度深于P型扩散区3与漂移层2交界处，浅槽6内设有控制栅多晶硅10，控制栅多晶硅10两侧的浅槽侧壁设有栅氧化层9。

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