长鑫存储技术有限公司韩清华获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116096068B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111269832.X，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体结构及其制作方法是由韩清华设计研发完成，并于2021-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体结构及其制作方法，将半导体结构中字线与位线交叉，且将位线设置呈锯齿形弯折线，使得交叉位置设置的垂直晶体管呈六角密堆排布，降低了无用面积的占比，避免了面积浪费，解决了现有技术的制造方法中形成的四方结构的交叉阵列，在制作存储电容时并不具备最高面积效率的问题。
本发明授权一种半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 于所述衬底上形成多个互相平行的字线以及多个互相平行的位线； 其中，所述位线为弯折的锯齿状，各个相邻的弯折线段之间具有第一角度，每个所述位线至少具有一个所述第一角度，所述位线与所述字线交叉形成第二角度； 所述于所述衬底上形成多个互相平行的位线，包括： 在所述字线上形成位线叠层； 在所述位线叠层上形成掩膜层； 在所述掩膜层上形成第一掩膜图案； 所述第一掩膜图案和所述字线交叉形成第二角度； 在所述掩膜层上形成第二掩膜图案，所述第二掩膜图案和所述字线交叉形成第二角度，且所述第一掩膜图案和所述第二掩膜图案相交呈第一角度； 其中，所述第一掩膜图案包括多个互相平行的第一线段，所述第二掩膜图案包括多个互相平行的第二线段；所述第一线段和所述第二线段的尺寸和周期Pitch均相同。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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