深圳电通纬创微电子股份有限公司陈明获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳电通纬创微电子股份有限公司申请的专利一种集成电路基岛区域失效分析的开盖方法及实验方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116106720B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211490829.5，技术领域涉及：G01R31/28；该发明授权一种集成电路基岛区域失效分析的开盖方法及实验方法是由陈明;张国财;潘廷宏;习雨攀;黄涯涛设计研发完成，并于2022-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种集成电路基岛区域失效分析的开盖方法及实验方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种集成电路基岛区域失效分析的开盖方法及实验方法，所述开盖方法包括以下步骤：S1：利用激光开盖的方式去除芯片上表面的塑封料，直至露出芯片上表面和键合焊线的一部分；S2：利用化学药品侵蚀清除掉芯片上方及键合焊线区的残余塑封料；S3：将键合焊线截断，将截断的两段键合焊线拨至竖直状态；S4：在芯片上方覆盖激光遮挡物；S5：继续利用激光去除基岛上方的塑封料，直至露出基岛上表面。本申请大部分采用激光法去除塑封料，小部分采用化学药品法去除塑封料，整体上仍然保持了较高的加工效率，化学药品法对芯片及周围结构的影响也极小，不会影响失效问题的判断，兼顾了开盖效率和损伤的平衡。
本发明授权一种集成电路基岛区域失效分析的开盖方法及实验方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路基岛区域失效分析的开盖方法，用于将集成电路基岛1上方的塑封料2去除掉，其特征在于，包括以下步骤： S1：利用激光开盖的方式去除芯片3上表面的塑封料2，直至露出芯片3上表面和键合焊线4的一部分； S2：利用化学药品侵蚀清除掉芯片3上方及键合焊线4区的残余塑封料2； S3：将键合焊线4截断，将截断的两段键合焊线4拨至竖直状态； S4：在芯片3上方覆盖激光遮挡物6； S5：继续利用激光去除基岛1上方的塑封料2，直至露出基岛1上表面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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