华灿光电(苏州)有限公司蒯亮获国家专利权
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龙图腾网获悉华灿光电(苏州)有限公司申请的专利提升光效的发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116111017B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310113316.0，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权提升光效的发光二极管及其制备方法是由蒯亮;冯岩;张圣君;王莉设计研发完成，并于2023-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本提升光效的发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种提升光效的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：衬底、外延层、复合阻挡层和第一电极；所述衬底、所述外延层和所述复合阻挡层依次层叠，所述复合阻挡层包括第一膜层和第二膜层，第二膜层为透明绝缘材料层；第一膜层位于外延层远离衬底的表面上，且第一膜层为镂空结构，第二膜层位于第一膜层远离衬底的表面以及第一膜层的空隙中，第一电极位于复合阻挡层远离衬底的表面。本公开能提升电流阻挡层的透光量，从而提升发光二极管的发光效果。
本发明授权提升光效的发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：衬底10、外延层20、复合阻挡层30和第一电极41； 所述衬底10、所述外延层20和所述复合阻挡层30依次层叠，所述复合阻挡层30包括第一膜层31和第二膜层32，所述第二膜层32为透明绝缘材料层；所述第一膜层31位于所述外延层20远离所述衬底10的表面上，且所述第一膜层31为镂空结构，所述第二膜层32位于所述第一膜层31远离所述衬底10的表面以及所述第一膜层31的空隙中，所述第一电极41位于所述复合阻挡层30远离所述衬底10的表面； 所述第一膜层31为第一铝层，所述第二膜层32为氧化铝层，所述第一铝层包括多个间隔排布的铝块311，所述氧化铝层位于所述铝块311远离所述衬底10的表面，且位于多个所述铝块311的间隙中。
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