长鑫存储技术有限公司冯伟获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利埋入式位线结构、埋入式位线结构的制备方法、及存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116113233B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111318131.0，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权埋入式位线结构、埋入式位线结构的制备方法、及存储器是由冯伟;卢经文;朱柄宇设计研发完成，并于2021-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本埋入式位线结构、埋入式位线结构的制备方法、及存储器在说明书摘要公布了：本公开实施例公开提供了一种埋入式位线结构、埋入式位线结构的制备方法、及存储器。所述埋入式位线结构，包括：基底，具有位线沟槽；位线金属，填充于所述位线沟槽内；位线接触，填充于所述位线沟槽内，并位于所述位线金属上，所述位线接触与所述位线金属之间具有弧形接触面。本公开实施例通过将位线接触与位线金属的接触面设置为弧形接触面，增大了位线接触与位线金属的接触面积，增强位线结构的导电性，以及可以避免位线结构的坍塌和损坏的问题，以适应位线结构的微缩导致的位线结构失效。
本发明授权埋入式位线结构、埋入式位线结构的制备方法、及存储器在权利要求书中公布了：1.一种埋入式位线结构，其特征在于，包括： 基底，具有位线沟槽； 位线金属，填充于所述位线沟槽内； 位线接触，填充于所述位线沟槽内，并位于所述位线金属上，所述位线接触与所述位线金属之间具有弧形接触面。
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