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龙图腾网获悉天狼芯半导体(成都)有限公司申请的专利一种集成电容的共源共栅氮化镓器件及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116130482B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211689728.0，技术领域涉及：H10D84/40；该发明授权一种集成电容的共源共栅氮化镓器件及芯片是由陈涛;黄汇钦设计研发完成，并于2022-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成电容的共源共栅氮化镓器件及芯片在说明书摘要公布了：本申请属于半导体技术领域，提供了一种集成电容的共源共栅氮化镓器件及芯片，通过在半导体衬底的正面形成层叠设置的成核层、氮化镓漂移层、势垒层，在成核层、氮化镓漂移层以及势垒层的两侧形成第一源极金属层和第一漏极金属层，在势垒层上形成第一栅极金属层，并在半导体衬底的背面形成互不接触的源极掺杂区与漏极掺杂区，且P型掺杂区和P型基区位于源极掺杂区与半导体衬底之间，通过第一金属走线连接第一栅极金属层和第二源极金属层，并在第一金属走线和第二漏极金属层之间设置电介质层，从而在共源共栅氮化镓器件内集成电容，避免了通过封装MOSFET与GaN器件组成共源共栅氮化镓器件时存在电容不匹配的问题。

本发明授权一种集成电容的共源共栅氮化镓器件及芯片在权利要求书中公布了：1.一种集成电容的共源共栅氮化镓器件，其特征在于，所述共源共栅氮化镓器件包括： 半导体衬底； 成核层、氮化镓漂移层、势垒层，层叠设于所述半导体衬底的正面； 第一源极金属层、第一漏极金属层，其中，所述第一源极金属层和所述第一漏极金属层分别设于所述成核层、所述氮化镓漂移层以及所述势垒层的两侧； 第一栅极金属层，设于所述势垒层上，且位于所述第一源极金属层和所述第一漏极金属层之间； 漏极掺杂区、源极掺杂区、P型基区以及P型掺杂区，设于所述半导体衬底的背面；其中，所述源极掺杂区与所述漏极掺杂区互不接触，且所述源极掺杂区与所述半导体衬底之间设有所述P型掺杂区和所述P型基区； 第二漏极金属层，与所述漏极掺杂区接触，并与所述第一源极金属层连接； 第二源极金属层，与所述源极掺杂区接触，并通过第一金属走线与所述第一栅极金属层连接；其中，所述第一金属走线与所述第二漏极金属层之间设有电介质层以形成匹配电容； 栅极介质层、第二栅极金属层；其中，所述栅极介质层设于所述第二栅极金属层与所述P型基区和所述源极掺杂区之间。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人天狼芯半导体(成都)有限公司，其通讯地址为：610000 四川省成都市高新区吉泰路5路88号香年广场T3栋4201室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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