买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉南通大学申请的专利一种高温保护的GaN/SiC共源共栅开关器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116133502B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310066043.9，技术领域涉及：H10N19/00；该发明授权一种高温保护的GaN/SiC共源共栅开关器件是由余晨辉;王鑫;祖源泽;成田恬;王奕锦;罗曼设计研发完成，并于2023-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高温保护的GaN/SiC共源共栅开关器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高温保护的GaNSiC共源共栅开关器件，包括高压低频耗尽型的SiCJFET器件、低压高频增强型的GaNHEMT器件以及连接SiCJFET器件和GaNHEMT器件并集成封装在同一基板上的热释电器件；其中，所述热释电器件包括自发极化的热释电复合材料层。本发明利用热释电器件对温度变化敏感的热释电效应和共源共栅开关器件工作在高频、高压、大电流的环境中自身产生的热量，避免共源共栅器件中SiCJFET器件发生热失控或者GaNSiC共源共栅开关器件发生短路时GaNHEMT器件被击穿，保护电路中的共源共栅开关中的SiCJFET器件和GaNHEMT器件。

本发明授权一种高温保护的GaN/SiC共源共栅开关器件在权利要求书中公布了：1.一种高温保护的GaNSiC共源共栅开关器件，其特征在于，包括高压低频耗尽型的SiC JFET器件1、低压高频增强型的GaN HEMT器件3以及连接SiC JFET器件1和GaN HEMT器件3并集成封装在同一基板上的热释电器件2；其中，所述热释电器件2包括自发极化的热释电复合材料层21；所述热释电器件2还包括分设于热释电复合材料层21上侧的第一石墨烯电极22、第二石墨烯电极23以及下侧的第一铝电极24、第二铝电极25，所述第一石墨烯电极22和第二石墨烯电极23以及第一铝电极24和第二铝电极25中间由二氧化硅绝缘层26进行导电隔离； 所述SiC JFET器件1包括设置在第一表面的SiC JFET器件漏极11、SiC JFET器件栅极12和SiC JFET器件源极13；所述GaN HEMT器件3包括设置在第一表面的GaN HEMT器件漏极31、GaN HEMT器件栅极32和GaN HEMT器件源极33；所述SiC JFET器件漏极11与GaNSiC共源共栅开关器件外接电路连接，所述SiC JFET器件栅极12与GaN HEMT器件源极33电性连接，所述SiC JFET器件源极13与GaN HEMT器件漏极31电性连接；所述SiC JFET器件栅极12与第一石墨烯电极22电性连接，所述SiC JFET器件源极13与第一铝电极24电性连接；所述GaN HEMT器件栅极32与第二石墨烯电极23电性连接，并与外加栅压控制电路4电性连接；所述GaN HEMT器件源极33与第二铝电极25电性连接，并与GaNSiC共源共栅开关器件外接电路连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南通大学，其通讯地址为：226000 江苏省南通市崇川区永福路79号1幢南通大学技术转移研究院；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。