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龙图腾网获悉无锡华润华晶微电子有限公司申请的专利超结VDMOS器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116137228B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111362766.0，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权超结VDMOS器件及其制造方法是由赵龙杰;张新设计研发完成，并于2021-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本超结VDMOS器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种超结VDMOS器件及其制造方法，应用于半导体领域。在本发明提供的超结VDMOS器件的制造方法中，通过将位于漂移区上方的用于形成P‑boyd体区的第二外延层的厚度增厚或在形成所述第二外延层之前，先通过离子注入的方式将形成有漂移区的第一外延层的顶部部分厚度反型成阻挡层，从而实现将P‑boyd体区与所述漂移区中的P型柱分隔开，以使二者不相连，阻止了由于P‑boyd体区耗尽层的继续扩散，导致的在超结VDMOS处于反向关断状态时，漂移区中的空穴通过P‑boyd体区直接抽走而引起的过冲问题，即，改善了超结VDMOS器件的过冲现象。

本发明授权超结VDMOS器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种超结VDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供一具有第一导电类型的衬底，并在该衬底的表面上形成具有第一导电类型的第一外延层； 在所述第一外延层中制备由P型柱和N型柱交替分布构成的漂移区； 在所述第一外延层的表面上形成具有第一导电类型的第二外延层，并通过离子注入工艺或扩散工艺在所述第二外延层中形成P‑boyd体区，以使形成的所述P‑boyd体区与所述漂移区中的P型柱不相连； 对包含所述第二外延层的所述衬底进行后续工艺，以形成包含源极、漏极以及栅极在内的电学结构； 其中，在所述第一外延层的表面上形成具有第一导电类型的第二外延层，并通过离子注入工艺或扩散工艺在所述第二外延层中形成P‑boyd体区，以使形成的所述P‑boyd体区与所述漂移区中的P型柱不相连的步骤，包括： 利用氧化工艺，在所述第一外延层的表面上形成阻挡层； 对形成有所述阻挡层的第一外延层进行离子注入工艺，并使注入的离子穿过所述阻挡层扩散到所述第一外延层的顶部，以在所述第一外延层的顶部形成一定厚度的反型阻断层； 去除所述阻挡层，并在所述反型阻断层的表面上形成具有第一导电类型的第四外延层，且将所述第四外延层作为所述第二外延层； 通过离子注入工艺或扩散工艺在所述第四外延层中形成P‑boyd体区，所述P‑boyd体区沿垂直于所述衬底的方向上的深度小于或等于所述第四外延层的厚度。

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