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长鑫存储技术有限公司高旭获国家专利权

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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利缺陷检测方法及装置、电子设备和存储介质获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116168009B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310228512.2,技术领域涉及:G06T7/00;该发明授权缺陷检测方法及装置、电子设备和存储介质是由高旭设计研发完成,并于2023-03-06向国家知识产权局提交的专利申请。

缺陷检测方法及装置、电子设备和存储介质在说明书摘要公布了:本公开是关于一种缺陷检测方法及装置、电子设备以及计算机可读存储介质,涉及半导体生产与制造技术领域,可以应用于对晶圆进行缺陷检测的场景。该方法包括:获取晶圆图的缺陷扫描结果,基于缺陷扫描结果将晶圆图划分为第一检测区域与第二检测区域;第一检测区域为晶粒特征对比值大于特征参考阈值的晶圆检测区域;根据晶圆图的焦距能量矩阵,对第一检测区域的晶粒进行缺陷整合处理,得到缺陷整合晶粒;基于缺陷整合晶粒,对第二检测区域中的晶粒进行缺陷检测处理,得到缺陷检测结果。本公开可以将晶圆图中易检区域的晶粒的缺陷信息进行整合,基于得到的缺陷整合晶粒对难检区域中的晶粒进行缺陷检测。

本发明授权缺陷检测方法及装置、电子设备和存储介质在权利要求书中公布了:1.一种缺陷检测方法,其特征在于,包括: 获取晶圆图的缺陷扫描结果,基于所述缺陷扫描结果将晶圆图划分为第一检测区域与第二检测区域,对缺陷扫描结果中的相邻晶粒的灰阶图像之间进行特征对比获得晶粒特征对比值,所述第一检测区域为晶粒特征对比值大于特征参考阈值的晶圆检测区域,所述第二检测区域为晶粒特征对比值小于或等于特征参考阈值的晶圆检测区域; 根据所述晶圆图的焦距能量矩阵,对所述第一检测区域的晶粒进行缺陷整合处理,得到缺陷整合晶粒; 基于所述缺陷整合晶粒,对所述第二检测区域中的晶粒进行缺陷检测处理,得到缺陷检测结果。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司,其通讯地址为:230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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