佛山市国星半导体技术有限公司张文燕获国家专利权
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龙图腾网获悉佛山市国星半导体技术有限公司申请的专利用于LED倒装芯片的外延结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116190504B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211653173.4，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权用于LED倒装芯片的外延结构及其制备方法是由张文燕;胡清富;徐亮;武杰;徐金荣设计研发完成，并于2022-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于LED倒装芯片的外延结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种用于LED倒装芯片的外延结构及其制备方法，包括：提供一衬底；在衬底上外延生长外延层；所述外延层包括沿外延方向依次沉积的多量子阱层及P型层；所述多量子阱层包括周期性依次交替生长的BGaN阱前保护层、InGaN阱层、BGaN阱后保护层及N‑GaN垒层；所述P型层包括沿外延方向依次沉积的绝缘保护层及P‑GaN层，所述绝缘保护层为未故意掺杂P型杂质的BGaNGaN超晶格结构。本发明的制备方法可有效提升外延结构晶体质量，降低位错密度，减少漏电及电子溢流，并提高小电流下的串联体电阻，提升LED倒装芯片小电流下的开启电压，解决现有技术中LED倒装芯片在小电流下电流小于1uA存在暗亮不均的问题。
本发明授权用于LED倒装芯片的外延结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于LED倒装芯片的外延结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供一衬底； 在衬底上外延生长外延层； 所述外延层包括沿外延方向依次沉积的多量子阱层及P型层； 所述多量子阱层包括周期性依次交替生长的BGaN阱前保护层、InGaN阱层、BGaN阱后保护层及N‑GaN垒层； 所述P型层包括沿外延方向依次沉积的绝缘保护层及P‑GaN层，所述绝缘保护层为未故意掺杂P型杂质的BGaNGaN超晶格结构，所述绝缘保护层能够提高电流小于1uA时的串联体电阻，提升LED倒装芯片在该电流下的开启电压。
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