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龙图腾网获悉重庆科技学院申请的专利一种磁偏转式阵列阴极获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116230468B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310183155.2，技术领域涉及：H01J1/304；该发明授权一种磁偏转式阵列阴极是由杨威;唐德东;龙建飞;杨乐设计研发完成，并于2023-03-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种磁偏转式阵列阴极在说明书摘要公布了：本发明公开了一种磁偏转式阵列阴极，包括：外壳、网格结构和偏转构件；所述网格结构和所述偏转构件安装于所述外壳内部；所述网格结构用于产生电子；所述偏转构件用于将所述电子偏转、加速。本发明通过使用片选电极，能够避免部分阴极本体与阳极之间短路后导致整个器件失效，从而提高阴极的可靠性和寿命。同时采用磁偏转方式将电子束引出也能减少阴极本体收到环境污染和外界离子等的轰击导致产品失效，增加了产品的可靠性。采用引出端增加栅极组件，可实现电子束的聚焦和能量增强，使得电子源可以应用在电流需求的场合。

本发明授权一种磁偏转式阵列阴极在权利要求书中公布了：1.一种磁偏转式阵列阴极，其特征在于，包括：外壳、网格结构和偏转构件； 所述网格结构和所述偏转构件安装于所述外壳内部； 所述网格结构用于产生电子； 所述偏转构件用于将所述电子偏转、加速； 所述网格结构包括：片选电极、阴极阵列和阳极阵列； 所述片选电极位于所述阴极阵列下方，所述阳极阵列位于所述阴极阵列的上方； 所述阴极阵列用于产生所述电子； 所述片选电极和所述阳极阵列用于进行片选； 所述片选的方法包括： 开启所述阴极片选电路和所述阳极阵列，基于反馈电流判断是否存在短路阴极体； 若存在短路阴极体，通过控制所述短路阴极体上方的阳极电压和下方的阴极片选电路之间的电势差屏蔽所述短路阴极体； 所述偏转构件包括：偏转区和加速区； 所述偏转区用于实现所述电子的偏转； 所述加速区用于对所述电子加速、聚焦； 所述偏转区包括：磁场和电子通道； 所述磁场用于实现所述电子的偏转； 偏转后的所述电子经所述电子通道到达所述加速区； 所述加速区包括：加速栅和屏栅； 通过调整所述加速栅和所述屏栅之间的电压调整所述电子的射出能量； 所述加速栅和所述屏栅通过设计为曲面实现所述电子的聚焦。

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