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龙图腾网获悉广东天域半导体股份有限公司申请的专利一种沟槽结构碳化硅的外延填充方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116259530B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310283692.4，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种沟槽结构碳化硅的外延填充方法是由丁雄傑;刘薇;李焕婷;彭铁坤;曾杰炜;杨旭腾;马爽;李锡光设计研发完成，并于2023-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种沟槽结构碳化硅的外延填充方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种沟槽结构碳化硅的外延填充方法，包括步骤：1将第一生长试验片进行外延生长试验，调节H2流量，得到其RG‑Bare、RG‑TB、RG‑MT；2将第二生长试验片进行外延生长试验，得到其RG‑Bare；3将第三生长试验片进行外延生长试验，得到其RG‑Bare；4将第四生长试验片进行外延生长试验，得到其RG‑TB＝v2和RG‑MT＝v3，且0.8v2v31.2v2；5将第五生长试验片进行外延生长试验，得到其RG‑TB＝v4和RG‑MT＝v5，且0v5v43；6使用沟槽结构碳化硅正式片，使用以上确定的工艺参数进行外延生长填充，控制外延填充时间S≥Lv4；7磨抛去除厚度H的多余碳化硅外延层，H≥v5×S。本发明方法可实现高槽底生长速率和无空隙填充的目的，能减少沟槽结构碳化硅晶片的使用量和断面SEM检测的使用次数，节省工艺成本。

本发明授权一种沟槽结构碳化硅的外延填充方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽结构碳化硅的外延填充方法，其特征在于，包括步骤： 1制作同时具有沟槽结构和平面结构外延层的碳化硅生长试验片，称为第一生长试验片，将第一生长试验片在TCS、C2H4、H2和HCl反应体系下进行化学气相沉积外延生长试验，保持碳硅比CSi=1，固定TCS流量=t1、C2H4流量=c1、HCl流量=l1和反应腔室压强P=p1、生长温度T=T1，调节H2的流量，得到H2流量=h1，以同时满足第一生长试验片平面表面的生长速率RG‑Bare大于0和沟槽台面的生长速率RG‑MT小于0，获得此时沟槽底部生长速率RG‑TB= v1，得到平面表面的生长速率RG‑Bare和沟槽台面的生长速率RG‑MT之差为v0； 2提供仅含有平面结构外延层的碳化硅生长试验片，称为第二生长试验片，将第二生长试验片进行化学气相沉积外延生长试验，保持碳硅比CSi=1，固定H2流量=h1、HCl流量=l1和压强P=p1、生长温度T=T1，调节TCS和C2H4的流量，得到TCS流量= t2和C2H4流量=c2，以满足此时第二生长试验片的外延生长速率RG‑Bare在2 v0至4 v0范围内； 3提供仅含有平面结构外延层的碳化硅生长试验片，称为第三生长试验片，将第三生长试验片进行化学气相沉积外延生长试验，固定TCS流量=t2、C2H4流量=c2、H2流量=h1和压强P=p1、生长温度T=T1，调节HCl的流量，得到HCl流量=l2，以满足此时第三生长试验片的外延生长速率RG‑Bare在v02至v0范围内； 4提供与待填充沟槽结构碳化硅正式片相同的试验片，称为第四生长试验片，将第四生长试验片进行化学气相沉积外延生长试验，固定C2H4流量=c2、H2流量=h1、HCl流量=l2和压强P= p1、生长温度T=T1，调节TCS的流量，得到TCS流量=t3，以满足此时第四生长试验片的沟槽底部生长速率RG‑TB=v2，沟槽台面生长速率RG‑MT=v3，且0.8v2v31.2v2； 5提供与待填充沟槽结构碳化硅正式片相同的试验片，称为第五生长试验片，将第五生长试验片进行化学气相沉积外延生长试验，固定TCS流量=t3、C2H4流量=c2、H2流量=h1、HCl流量=l2和生长温度T=T1，在一定范围内调节压强P，得到P=p2，以满足此时第五生长试验片沟槽底部生长速率RG‑TB=v4、沟槽台面生长速率RG‑MT=v5，且0v5v43； 6使用沟槽结构碳化硅正式片，使用步骤1‑5中确定的工艺参数：TCS流量=t3、C2H4流量=c2、H2流量=h1、HCl流量=l2及压强P=p2、生长温度T=T1，进行化学气相沉积外延生长填充，控制外延填充时间S≥Lv4，其中L为沟槽结构深度，即完成沟槽结构的外延填充； 7在外延填充生长完成后，磨抛去除厚度H的多余碳化硅外延层，H≥v5×S。

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