买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉上海维安半导体有限公司申请的专利一种低容硅控整流器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116259624B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310263319.2，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种低容硅控整流器是由郝壮壮;叶毓明;赵德益;蒋骞苑;苏海伟设计研发完成，并于2023-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低容硅控整流器在说明书摘要公布了：本发明提供一种低容硅控整流器，涉及半导体技术领域，包括：衬底，所述衬底上方形成有一N阱区、一第一P阱区和一第一P型注入区；所述N阱区中形成有一第一N型注入区和一第二P型注入区，所述第一P阱区中形成有一第二N型注入区和一第三P型注入区，所述N阱区和所述第一P阱区的接合处形成有一第三N型注入区；所述第一N型注入区和所述第二P型注入区连接一阳极端，所述第一P型注入区和所述第二N型注入区连接一阴极端；控制电路，分别连接所述第三P型注入区、所述阴极端和所述阳极端，所述控制电路用于控制所述第三P型注入区与所述阴极端的通断。有益效果是能够在保持正向和负向电流泄放通路不变和漏电接近的基础上，实现更低的电容。

本发明授权一种低容硅控整流器在权利要求书中公布了：1.一种低容硅控整流器，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底上方形成有一N阱区、一第一P阱区和一第一P型注入区； 所述N阱区中形成有一第一N型注入区和一第二P型注入区，所述第一P阱区中形成有一第二N型注入区和一第三P型注入区，所述N阱区和所述第一P阱区的接合处形成有一第三N型注入区； 所述第一N型注入区和所述第二P型注入区连接一阳极端，所述第一P型注入区和所述第二N型注入区连接一阴极端； 控制电路，分别连接所述第三P型注入区、所述阴极端和所述阳极端，所述控制电路用于控制所述第三P型注入区与所述阴极端的通断； 所述控制电路包括： 分压支路，所述分压支路分别连接所述阳极端和所述阴极端，所述分压支路包括串联的两个分压部件； 第一增强型晶体管，所述第一增强型晶体管的晶体管衬底连接所述第一增强型晶体管的源极和所述阴极端，所述第一增强型晶体管的漏极连接所述第三P型注入区； 防护电阻，所述防护电阻的一端连接于两所述分压部件之间，所述防护电阻的另一端连接所述第一增强型晶体管的栅极。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海维安半导体有限公司，其通讯地址为：201202 上海市浦东新区祝桥镇施湾七路1001号2幢；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。