华灿光电(浙江)有限公司兰叶获国家专利权
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龙图腾网获悉华灿光电(浙江)有限公司申请的专利无衬底的红光微型发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314530B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211733905.0，技术领域涉及：H10H20/84；该发明授权无衬底的红光微型发光二极管及其制备方法是由兰叶;朱广敏;王江波;吴志浩;张威设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本无衬底的红光微型发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种无衬底的红光微型发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该红光微型发光二极管包括外延结构、电极和MgF2层，所述外延结构具有相对的第一表面和第二表面、以及与所述第一表面相邻的侧面，所述第一表面为出光面，所述MgF2层位于所述第一表面和所述侧面，所述MgF2层中分布有孔隙，且所述第一表面亮度越低的区域，所述MgF2层中的孔隙越小，所述电极位于所述第二表面。MgF2层的折射率较低，介于红光微型发光二极管的外延结构和空气之间，能够起到过渡的作用，从而改善光线从红光微型发光二极管中射出时的偏转角度。
本发明授权无衬底的红光微型发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于，包括外延结构10、电极20和MgF2层30，所述外延结构10具有相对的第一表面和第二表面、以及与所述第一表面相邻的侧面，所述第一表面为出光面，所述MgF2层30位于所述第一表面和所述侧面，所述MgF2层30中分布有孔隙，且所述第一表面亮度越低的区域，所述MgF2层30中的孔隙越小，所述电极20位于所述第二表面； 所述第一表面和所述侧面的连接处具有圆角，所述发光二极管还包括过渡层40，所述过渡层40位于所述圆角上，且沿所述第一表面的边缘布置，所述过渡层40远离所述圆角的表面为曲面，且曲率大于所述圆角的曲率。
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