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龙图腾网获悉华引芯(武汉)科技有限公司申请的专利一种发光元件的制备方法及发光元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116404075B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310337298.4，技术领域涉及：H10H29/01；该发明授权一种发光元件的制备方法及发光元件是由瞿俊杰;杜治新;徐威;孙雷蒙设计研发完成，并于2023-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种发光元件的制备方法及发光元件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种发光元件的制备方法，涉及半导体技术领域，方法步骤包括：在衬底上依次生长出缓冲层、N型半导体层、量子阱层、P型半导体层；刻蚀穿透所述P型半导体层和所述量子阱层，以使得LED芯粒在所述量子阱层完全隔断，以形成独立的LED像素芯粒；在所述P型半导体层上沉积电流扩展层；在所述电流扩展层上沉积电流阻挡层；将LED芯片转移至驱动电路基板上，并完成封装。本发明提供的技术方案，可以取消MicroLED巨量转移技术中激光剥离衬底、去除残留金属镓、薄膜封装LED芯粒以及后续模组封装中的盖板点胶真空贴合等加工步骤，大大降低工程实施难度。

本发明授权一种发光元件的制备方法及发光元件在权利要求书中公布了：1.一种发光元件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 在衬底上依次生长出缓冲层、N型半导体层、量子阱层、P型半导体层； 刻蚀穿透所述P型半导体层和所述量子阱层，以使得单颗LED芯片中各LED像素芯粒在所述量子阱层断开，以形成独立的LED像素芯粒； 在所述P型半导体层上沉积电流扩展层； 在所述电流扩展层上沉积电流阻挡层； 将LED芯片转移至驱动电路基板上，并完成封装，包括：采用真空蒸镀法镀P型电极、N型电极以及LED键合金属；对所述N型半导体层、所述量子阱层、所述P型半导体层、所述电流扩展层、P型电极进行侧壁保护；采用光刻法在所述LED像素芯粒的间隙中填充黑色矩阵层；采用真空蒸镀法镀驱动背板键合金属In或InSn或AuSn柱；采用光刻法制作驱动背板键合金属间的绝缘隔离柱；采用倒装键合冷压焊技术将LED芯片与驱动背板进行焊接； 其中，每颗LED芯片中，所述P型电极环设于所述电流阻挡层的外围，且所述P型电极的厚度小于所述电流阻挡层的厚度，以使至少部分电流阻挡层凸出于所述P型电极的表面，并与所述LED键合金属直接接触； 其中，与P型电极上的LED键合金属相接触的驱动背板键合金属In或InSn或AuSn柱具有第一厚度，与N型电极上的LED键合金属相接触的驱动背板键合金属In或InSn或AuSn柱具有第二厚度，所述第二厚度大于所述第一厚度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华引芯(武汉)科技有限公司，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号武汉新能源研究院大楼G2栋2层2015-2019号(自贸区武汉片区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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