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龙图腾网获悉苏州世华新材料科技股份有限公司申请的专利一种使用磁控溅射的铜箔表面抗氧化、耐腐蚀处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116411240B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111664274.7，技术领域涉及：C23C14/02；该发明授权一种使用磁控溅射的铜箔表面抗氧化、耐腐蚀处理方法是由顾正青;王汝冰;周奎任;计建荣设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种使用磁控溅射的铜箔表面抗氧化、耐腐蚀处理方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种使用磁控溅射的铜箔表面抗氧化、耐腐蚀处理方法；本发明通过二次粗化结合磁控溅射固化的方式，改善了粗化层的形貌，提高其层间铜离子的结合强度，增强其抗外界物质内部侵蚀能力；同时避免了一般铜箔粗化过程中由于尖端放电现象导致的粗化层形貌较差，容易出现刺突，在电流交换时易产生短路的风险；通过使用磁控溅射的方式制备抗氧化、耐腐蚀层，由于磁控溅射成膜的致密性，也给铜箔带来的更好的抗氧化、耐腐蚀能力，在我国PCB用铜箔市场有着广泛的应用空间。

本发明授权一种使用磁控溅射的铜箔表面抗氧化、耐腐蚀处理方法在权利要求书中公布了：1.一种使用磁控溅射的铜箔表面抗氧化、耐腐蚀处理方法，其特征在于，包括以下步骤： S1.将未处理的铜箔置于浓度为10％‑15％的硫酸溶液内，超声波振荡清洗10s； S2.一次粗化液加热至40‑50℃，将清洗后的铜箔置于一次粗化液内，粗化电流为25‑32Adm2，粗化时间为2.5‑3.5s； S3.将经一次粗化后的铜箔用去离子水洗净，加热烘干，将其置于磁控溅射机内，溅射固化层； S4.将溅射固化层的铜箔置于二次粗化液内，二次粗化液温度为45‑50℃，粗化电流为30‑35Adm2，粗化时间为2‑3s； S5.将磁控溅射机内溅射靶材更换为抗氧化、耐腐蚀靶材，对铜箔溅射一层或者多层抗氧化、耐腐蚀层； S6.使用硅烷偶联剂溶液对铜箔表面进行涂覆，涂覆方式为喷涂； 步骤S3中，所述固化层，其溅射过程为： S31.使用丙酮溶液清洗纯度为99.99％的铜块靶材，之后将其置于80‑120℃的烘箱内烘干； S32.将铜块靶材安装在溅射设备上，靶极距为15‑20cm； S33.对溅射设备内抽真空，调整本底真空度为0.1‑1×10‑4Pa，填充高纯氩气，使工作气压为0.3‑0.8Pa； S34.对铜箔进行溅射操作，溅射功率为5‑8kW，机速为5‑10mmin，溅射完成后将铜箔取出； 步骤S5中，所述抗氧化、耐腐蚀层，其溅射过程为： S51.使用丙酮溶液清洗抗氧化、耐腐蚀靶材，之后将其置于80‑120℃的烘箱内烘干； S52.将靶材安装在溅射设备上，靶极距为10‑12cm； S53.对溅射设备内抽真空，调整本底真空度0.1‑1×10‑4Pa，填充纯度为99.995％份高纯氩气，使工作气压为0.2‑0.4Pa； S54.将铜箔基底装在溅射设备中，开启设备，预溅射3‑6min； S55.预溅射完成后，对铜箔进行溅射操作，溅射功率为2‑3kW，机速为2‑10mmin； 所述一次粗化液中Cu2+浓度为10‑20gL，H2SO4为120‑200gL，HEC为5mgL，钼酸铵为10‑15gL； 所述二次粗化液中，Cu2+浓度为8‑15gL，H2SO4浓度为70‑90gL，聚乙烯吡咯烷酮浓度为3‑4gL，聚氧乙烯烷基酚磺酸钠浓度为2‑3gL。

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