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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利半导体测试结构及测试方法、测试系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116540054B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310483978.7，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权半导体测试结构及测试方法、测试系统是由焦岚清;宋永梁;赵吟霜设计研发完成，并于2023-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体测试结构及测试方法、测试系统在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体测试结构及测试方法、测试系统。半导体测试结构，包括：一公共焊盘，用于接收公共电压；多个测试电路，均与公共焊盘电连接，每一测试电路均包括：支路焊盘，与待测组件的第一测试端电连接，用于接收测试电压，测试电压大于公共电压；开关单元，其控制端电连接至支路焊盘，其第一端电连接至待测组件的第二测试端，其第二端电连接至公共焊盘；保护单元，保护单元的第一端电连接至待测组件的第二测试端，其第二端连接至公共焊盘。上述技术方案通过将多个测试电路并联至公共焊盘上，同时测试多个待测组件，以达到缩短测试总时长目的；并在每一测试电路中设置开关单元和保护单元，避免待测组件失效时对其他测试电路产生影响。

本发明授权半导体测试结构及测试方法、测试系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体测试结构，其特征在于，包括： 一公共焊盘，用于接收公共电压； 多个测试电路，均与所述公共焊盘电连接，每一所述测试电路用于对一待测组件进行介质层可靠性测试，每一所述测试电路均包括： 支路焊盘，与所述待测组件的第一测试端电连接，用于接收测试电压，所述测试电压大于所述公共电压； 开关单元，所述开关单元的控制端电连接至所述支路焊盘，其第一端电连接至所述待测组件的第二测试端，其第二端电连接至所述公共焊盘，所述开关单元响应于所述待测组件的击穿而开启，以抬升所述支路焊盘上的电流至预设阈值电流，以判定所述待测组件失效； 保护单元，所述保护单元的第一端电连接至所述待测组件的第二测试端，其第二端连接至所述公共焊盘，用于在所述待测组件发生击穿时断开所述待测组件与所述公共焊盘之间的电流通路； 其中，当判定所述待测组件失效时，停止对所述待测组件所在测试电路的支路焊盘施加测试电压。

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