南方科技大学程鑫获国家专利权
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龙图腾网获悉南方科技大学申请的专利一种等离子体产生方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116600460B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310659278.9，技术领域涉及：H05H1/24；该发明授权一种等离子体产生方法及装置是由程鑫;曾晓怡;刘羽设计研发完成，并于2023-06-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种等离子体产生方法及装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种等离子体产生方法及装置，方法包括以下步骤：1设置一基底层，在所述基底层上设置第一膜层，将所述基底和第一膜层进行固定；2在所述第一膜层上，设置至少一通液蛇形沟道。设置第二膜层，在所述第二膜层靠近所述隔气薄膜的一侧设置通气蛇形沟道，所述通气蛇形沟道形状与所述通液蛇形沟道形状至少存在部分重合；所述第二膜层的蛇形通气沟道通过所述导电玻璃连接高压电源通电产生低温等离子体；控制所述通液蛇形沟道进液，使所述低温等离子体透过所述隔气薄膜与所述通液蛇形沟道中的液体进行反应。本发明采用蛇形气道的方式，使得装置反应效率大大增加，能够在同等面积下，尽可能多地产生更多的等离子体，效率高且稳定。
本发明授权一种等离子体产生方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种等离子体产生方法，其特征是：包括以下步骤： 1设置一基底层，在所述基底层上设置第一膜层，将所述基底和第一膜层进行固定； 2在所述第一膜层上，设置至少一通液蛇形沟道； 3在所述通液体蛇形沟道上，设置至少一隔气薄膜； 4在所述隔气薄膜上，设置第二膜层，在所述第二膜层靠近所述隔气薄膜的一侧设置通气蛇形沟道，所述通气蛇形沟道形状与所述通液蛇形沟道形状至少存在部分重合； 5在所述第二膜层上，设置至少一导电玻璃； 6所述第二膜层的蛇形通气沟道通过所述导电玻璃连接高压电源通电产生低温等离子体； 控制所述通液蛇形沟道进液，使所述低温等离子体透过所述隔气薄膜与所述通液蛇形沟道中的液体进行反应。
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