上海交通大学朱兴龙获国家专利权
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龙图腾网获悉上海交通大学申请的专利超高密度亚微米强流电子束的产生装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116669276B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310606376.6，技术领域涉及：H05H7/04；该发明授权超高密度亚微米强流电子束的产生装置是由朱兴龙;刘维媛;陈民;翁苏明;盛政明;张杰设计研发完成，并于2023-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本超高密度亚微米强流电子束的产生装置在说明书摘要公布了：一种产生超高密度亚微米强流电子束的装置，包括用于提供相对论强流电子束的粒子加速器，用于提供电子束与靶相互作用的真空环境的真空靶室，以及靶元件；靶元件为空心锥形靶，用于将电子束聚焦到初始直径的十分之一以下，可小至亚微米尺度，从而使其密度增加两个数量级以上，到达固体密度范畴。如此极高密度亚微米尺寸的电子束是其他装置所无法实现的，这将为诸多前沿科学带来新的研究手段。该装置还适用于聚焦其他带电粒子束，例如正电子束。因此，本发明具有重要的研究价值和应用前景。
本发明授权超高密度亚微米强流电子束的产生装置在权利要求书中公布了：1.一种超高密度亚微米强流电子束的产生装置，其特征在于，包括真空靶室，所述真空靶室用于提供电子束与靶相互作用的真空环境； 粒子加速器，放置在所述真空靶室外，用于提供相对论强流电子束； 靶元件，放置在所述真空靶室内，呈空心圆锥形状，用于将所述电子束聚焦到初始直径的十分之一以下； 所述粒子加速器提供的电子束入射至所述靶元件内，经该靶元件的靶壁回流产生超强自生磁场，从而实现对电子束本身进行聚焦；经过数百微米的相互作用距离后，电子束被压缩到其初始直径的十分之一以内，达到亚微米级束斑，从而使其密度增加两个数量级以上，达到近固体密度。
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