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龙图腾网获悉太原理工大学申请的专利基于4H-SiC的偏振复用超透镜及其设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116736416B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310717364.0，技术领域涉及：G02B3/00；该发明授权基于4H-SiC的偏振复用超透镜及其设计方法是由王文艳;吴爽;郭思彤;崔艳霞;李国辉;冀婷设计研发完成，并于2023-06-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于4H-SiC的偏振复用超透镜及其设计方法在说明书摘要公布了：本发明属于聚焦型超透镜领域，具体涉及一种基于4H‑SiC的偏振复用超透镜及其设计方法，超透镜包括多个呈二维正方形周期性排列的4H‑SiC亚波长共振结构单元，每个所述4H‑SiC亚波长共振结构单元包括：4H‑SiC衬底1和设置在4H‑SiC衬底1上的4H‑SiC纳米砖2。本发明通过若干个总相位移动覆盖‑π到π的4H‑SiC亚波长共振单元的空间二维阵列排列，结合传输相位与几何相位调控入射光的相位，可以得到正交线、圆偏振复用超透镜，最终在数值孔径NA高达0.832的前提下，得到的超透镜也可以实现正交线偏振和圆偏振光的分别聚焦。

本发明授权基于4H-SiC的偏振复用超透镜及其设计方法在权利要求书中公布了：1.一种基于4H‑SiC的偏振复用超透镜的设计方法，所述偏振复用超透镜包括多个呈二维阵列排布的4H‑SiC 亚波长共振结构单元，每个所述4H‑SiC 亚波长共振结构单元包括： 4H‑SiC 衬底1和设置在4H‑SiC 衬底1上的4H‑SiC 纳米砖2；其特征在于，包括以下步骤： S1、确定单个4H‑SiC 亚波长共振结构单元的结构参数以及排布周期数，构建超透镜模型； S2、扫描4H‑SiC 纳米砖的几何参数，得到不同几何参数组合下的4H‑SiC纳米砖对应的总相位移动； S3、利用相位分布公式计算超透镜上各点对应的总目标相位，计算公式为： ； 其中，x,y为超透镜上每个4H‑SiC 亚波长共振结构单元的空间位置坐标；ϕx,y表示x，y位置处的4H‑SiC 亚波长共振结构单元的总目标相移，f为超透镜的焦距；λ为入射光波长；xf, yf 为超透镜的预设焦点坐标； S4、利用 FOM 公式将各个不同参数组合下的4H‑SiC纳米砖对应的总相位移动与超透镜各点的总目标相位进行相移匹配，得到超透镜上各点对应的4H‑SiC 纳米砖对应的几何参数，所述FOM公式为： ； 其中，和分别表示坐标处对应的总目标相位在x方向和y方向上的分量，表示各个不同几何参数组合下的4H‑SiC纳米砖的总相位移动在x方向和y方向的分量；FOM表示品质因素； S5、将步骤S4得到的几何参数，导入构建的超透镜振幅相位分布物理模型，计算超透镜的电磁场分布和聚焦性能。

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