中国科学院近代物理研究所杨自钦获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院近代物理研究所申请的专利一种多cell纯铌腔内表面铌三锡镀膜设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116752090B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310605740.7,技术领域涉及:C23C14/16;该发明授权一种多cell纯铌腔内表面铌三锡镀膜设备是由杨自钦;何源;李璐;张军辉;赵玉刚;张生虎;王志军;蒋广泽设计研发完成,并于2023-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多cell纯铌腔内表面铌三锡镀膜设备在说明书摘要公布了:本发明公开了一种多cell纯铌腔内表面铌三锡镀膜设备。它包括:外真空系统,用于提供镀铌三锡薄膜的温度与真空度条件,包括真空炉的外真空腔体和用于提供外真空腔体内真空环境的外腔体真空系统;内真空系统,用于提供镀铌三锡薄膜洁净的生长环境,包括真空炉的纯铌腔室和用于提供纯铌腔室内真空环境的内腔体真空系统;纯铌腔室设置于外真空腔体内,用于放置多cell铌腔和锡源蒸发腔,锡源蒸发腔固定在多cell铌腔两端,用于盛放锡源的容器;铌腔输送装置,用于将多cell铌腔输送至内真空腔体内;加热电源系统,用于提供蒸镀铌三锡薄膜过程热量;电气自动控制系统,用于控制镀铌三锡薄膜制备过程并采集制备过程各项参数且进行分析反馈。本发明镀膜方便、均匀。
本发明授权一种多cell纯铌腔内表面铌三锡镀膜设备在权利要求书中公布了:1.一种多cell纯铌腔内表面铌三锡镀膜设备,其特征在于,包括: 外真空系统,用于提供镀铌三锡薄膜的温度与真空度条件,包括真空炉的外真空腔体和用于提供所述外真空腔体内真空环境的外腔体真空系统; 内真空系统,用于提供镀铌三锡薄膜洁净的生长环境,包括真空炉的纯铌腔室和用于提供所述纯铌腔室内真空环境的内腔体真空系统;所述纯铌腔室设置于外真空腔体内,用于放置多cell铌腔和锡源蒸发腔,所述锡源蒸发腔固定在所述多cell铌腔两端,被配置成用于盛放锡源的容器; 铌腔输送装置,包括主推车和副推车,用于将所述多cell铌腔输送至内真空腔体内; 加热电源系统,用于提供蒸镀铌三锡薄膜过程热量; 电气自动控制系统,用于控制镀铌三锡薄膜制备过程并采集制备过程各项参数且进行分析反馈; 所述外真空系统包括:外真空腔体;双层夹套水冷壳体,包裹在所述外真空腔体外部; 外隔热屏,设置在所述双层夹套水冷壳体内部,与所述双层夹套水冷壳体共同被配置成保温屏蔽层;加热器,布置在所述外隔热屏与纯铌腔室之间的空间中,被配置成三个独立的加热区,用于对待镀膜的所述纯铌腔室对应的所述内真空系统侧壁进行加热;测温热电偶,布置在各个独立所述加热区内,被配置成用于对各个所述加热区内的温度进行控制和超温报警;外真空规,布置在所述外真空腔体壳体内表面,被配置成用于测量和检测所述外真空腔体的真空压力和充气压力;内真空纯铌腔支撑,位于所述外真空腔体内壁,且和所述纯铌腔室外壁接触,以起到支撑所述纯铌腔室的作用,布置在所述纯铌腔室轴线垂直向下的方向; 外腔体真空系统,由两台扩散泵、两台罗茨泵、两台机械泵组成三级抽气系统,被配置成从大气压到10‑4Pa均有抽气能力; 所述内真空系统中,所述多cell铌腔的腔体轴线与所述真空炉的轴线方向平行;所述内真空系统包括:所述纯铌腔室,被放置于所述外真空腔体的三个独立的加热区包裹的均温区内,与所述外真空腔体的炉门共同被配置成放置所述多cell铌腔的独立内真空腔体; 内真空规,布置在所述纯铌腔室炉门上,被配置成用于测量和检测所述纯铌腔室的真空压力和充气压力;内隔热屏,放置于所述纯铌腔室出入口处,被配置成所述纯铌腔室保温隔热层;锡源蒸发腔,使用纯钨螺钉、纯钨螺母固定在所述纯铌腔室两端的法兰上,被配置成用于盛放锡源的容器;锡源加热元件,环绕在所述锡源蒸发腔周围,被配置成具有单独控温功能;内腔体真空系统,采用无油泵组,由两台分子泵、一台分子泵和一台干泵组成的三级抽空系统,被配置成从大气压到10‑6Pa均有抽气能力。
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