湖北九峰山实验室郭涛获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种氮化镓肖特基二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116799037B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310692137.7，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种氮化镓肖特基二极管及其制备方法是由郭涛;吴畅;曾宇磊设计研发完成，并于2023-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氮化镓肖特基二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氮化镓肖特基二极管及其制备方法，包括：衬底、氮化镓沟道层、氧化镓势垒层、盖帽层；所述氮化镓沟道层与所述氧化镓势垒层之间形成二维电子气层；所述氮化镓沟道层两端分别设有截断所述二维电子气层的电极凹槽，所述电极凹槽内接触二维电子气层一侧填充有金属电极分别形成阴极和阳极，另一侧镂空设置空气桥；所述阴极和所述阳极均为肖特基电极。本发明制备的肖特基二极管具有寄生效应小、非线性电容区间大、截止频率高的优点。
本发明授权一种氮化镓肖特基二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓肖特基二极管，其特征在于，包括：衬底、氮化镓沟道层、氧化镓势垒层、盖帽层；所述氮化镓沟道层与所述氧化镓势垒层之间形成二维电子气层；所述氮化镓沟道层两端分别设有截断所述二维电子气层的电极凹槽，所述电极凹槽内接触二维电子气层一侧填充有金属电极分别形成阴极和阳极，另一侧镂空设置空气桥；所述阴极和所述阳极均为肖特基电极； 所述氮化镓沟道层采用m面氮化镓； 所述氧化镓势垒层采用ε‑Ga2O3。
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