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龙图腾网获悉桂林理工大学申请的专利一种仿“芯片”集成式锂硫电池的设计与制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116845199B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310840205.X，技术领域涉及：H01M4/36；该发明授权一种仿“芯片”集成式锂硫电池的设计与制备方法是由李新宇;卢桂玲;蓝玉栋设计研发完成，并于2023-07-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种仿“芯片”集成式锂硫电池的设计与制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种仿“芯片”集成式锂硫电池的设计与制备。该发明基于芯片中晶体管集成的设计理念，设计了一种仿“芯片”集成式锂硫电池。该设计将纳米Mo2C纳米颗粒协同纳米硫植入氧化石墨烯基体合成对硫活性物质具有高催化活性和分散稳定性的硫纳米反应器基元，实现孤立硫纳米反应器在GO导电网络上近距离的串联组成一个极其庞大集成导电网络系统，利用各硫纳米反应器基元的集成效应以及Mo2C的高效催化实现高能量的自适应储存和输出。值得注意的是，所获得的集成式纳米反应器正极获得了高的初始比容量、出色的循环保持性能和卓越的倍率性能。

本发明授权一种仿“芯片”集成式锂硫电池的设计与制备方法在权利要求书中公布了：1.一种仿“芯片”集成式锂硫电池正极片的设计与制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S1，通过使用热解柠檬酸CA从“底部往上”制备石墨烯量子点GOQDs，将5g柠檬酸在空气氛围下加热处理到200℃保持30min后，得到含有石墨烯量子点的橙色溶液，将所得溶液置于透析袋中，在去离子水中透析处理48h，然后将所得溶液进行冷冻干燥处理，得到GOQDs； 步骤S2，将无水50mg MoCl5在去离子水中冰浴搅拌20min后溶解得到混合溶液； 步骤S3，将120mg氧化石墨烯GO与60ml去离子水混合，置于超声机中超声30min得到氧化石墨烯分散液2mgml； 步骤S4，将步骤S1中60mgGOQDs与30ml去离子水混合超声30min得到GOQDs水分散体； 步骤S5，将步骤S3所得GO分散液和步骤S4所得GOQDs水分散体依次缓慢加入到步骤S3所得混合溶液中，再缓慢加入0.5ml油胺进行加热至75℃持续搅拌3h得到GOMoxO溶液； 步骤S6，将步骤S5所得溶液在离心机中以6000~8000转离心5min；用去离子水多次洗涤收集得到沉淀物，将沉淀物放入冰箱中冷冻6h后置于真空冷冻干燥机中干燥处理48h得到中间产物GOMoxO； 步骤S7，将步骤S6所得的中间产物置于管式炉中，先通入氩气20min后，在氩气条件下煅烧以5℃min的升温速率加热到700℃，温度保持1.5h，待温度冷却至室温后获得锚定在打孔氧化石墨烯框架上的Mo2C纳米颗粒复合材料GOMo2C； 步骤S8，将步骤S7所得GOMo2C复合材料与去离子水混合室温搅拌0.5h溶解得到浓度为100mgml的Mo2CHG悬浮液，然后将0.923g硫代硫酸钠加入上述悬浮液中分别进行冰浴搅拌0.5h，再缓慢加入0.4ml盐酸进行冰浴搅拌0.5h，最后用去离子水离心洗涤收集沉淀物，置于烘箱中60℃真空干燥48h处理得到仿“芯片”集成式复合材料GOMo2CNS。

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