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龙图腾网获悉苏州东微半导体股份有限公司申请的专利IGBT器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116936357B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210367143.0，技术领域涉及：H10D12/01；该发明授权IGBT器件的制造方法是由刘伟;王鹏飞;刘磊;龚轶设计研发完成，并于2022-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本IGBT器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供的一种IGBT器件的制造方法，首先，在形成第一沟槽后形成n电荷存储区，通过控制第一沟槽的深度来控制n型电荷存储区的深度，避免n型电荷存储区对后续形成的p型体区产生影响；其次，先形成浮空的p型柱，再形成栅极，避免了形成p型柱时对栅极产生的损伤；再次，n型电荷存储区、p型柱和栅极均通过自对准工艺形成，简化了IGBT器件的制造工艺。

本发明授权IGBT器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种IGBT器件的制造方法，其特征在于，包括： 在提供的n型半导体层上形成硬掩膜层，通过光刻工艺定义出第一沟槽的位置，对所述硬掩膜层进行刻蚀将所述n型半导体层暴露出来； 以所述硬掩膜层为掩膜，对所述n型半导体层进行各向异性刻蚀，在所述n型半导体层内形成第一沟槽； 以所述硬掩膜层为掩膜，通过所述第一沟槽对所述n型半导体层进行n型离子注入并退火，在所述n型半导体层内形成位于所述第一沟槽底部的n型电荷存储区； 以所述硬掩膜层为掩膜，继续对所述n型半导体层进行各向异性刻蚀，在所述第一沟槽下方形成第二沟槽，所述第二沟槽贯穿所述n型电荷存储区； 形成p型多晶硅层，以所述硬掩膜层为掩膜对所述p型多晶硅层进行回刻，在所述第二沟槽内形成p型柱，所述p型柱向上延伸至所述第一沟槽内且所述第一沟槽的剩余空间形成第三沟槽，所述第三沟槽的深度小于所述第一沟槽的深度； 以所述硬掩膜层为掩膜，对所述n型半导体层进行各向同性刻蚀，增加所述第三沟槽的宽度和深度； 在所述第三沟槽的表面形成栅氧化层； 形成栅极多晶硅层并以所述硬掩膜层为掩膜对所述栅极多晶硅层进行回刻，在所述第三沟槽的侧壁位置处形成栅极； 形成绝缘层并对所述绝缘层进行回刻，在所述第三沟槽内形成位于所述p型柱上方的绝缘介质层。

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