湖北九峰山实验室成志杰获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种积累型宽禁带半导体沟槽MOSFET器件结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117080249B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311131129.1，技术领域涉及：H10D62/17；该发明授权一种积累型宽禁带半导体沟槽MOSFET器件结构及其制备方法是由成志杰;袁俊;郭飞;王宽;吴阳阳;陈伟设计研发完成，并于2023-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种积累型宽禁带半导体沟槽MOSFET器件结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明具体涉及一种积累型宽禁带半导体沟槽MOSFET器件结构及其制备方法。该结构至少包括衬底、外延层、源极P+区、栅电极；栅电极沟槽的下方设置有N+电流通道，栅电极沟槽的两侧设置有N‑积累型沟道和或P‑反型沟道，N+电流通道通过离子注入制备得到且位于外延层中，N‑积累型沟道和或P‑反型沟道由N+电流通道离子注入时的横向弥散效应形成。本发明通过沟槽底部离子注入工艺形成N+电流通道，利用此道工艺在离子注入时的横向弥散效果自然形成N‑积累型沟道和或P‑反型沟道，并且可以通过控制N+电流通道离子注入时沟槽侧壁的掩膜厚度仔细调控沟道掺杂浓度和厚度，不需要额外的工艺即可达到增强沟道迁移率、降低器件导通电阻的目的。
本发明授权一种积累型宽禁带半导体沟槽MOSFET器件结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种积累型宽禁带半导体沟槽MOSFET器件结构，其特征在于，至少包括衬底1、外延生长在衬底1上的外延层2、制作在外延层2中的源极P+区10、制作在源极P+区10两侧的栅电极13； 所述栅电极13沟槽的正下方设置有N+电流通道8，所述栅电极13沟槽的两侧设置有N‑积累型沟道9和或P‑反型沟道14，所述N+电流通道8通过沟槽底部离子注入工艺制备得到且位于外延层2中，所述N‑积累型沟道9和所述P‑反型沟道14由N+电流通道8离子注入时的横向弥散效应形成，所述N‑积累型沟道9和所述P‑反型沟道14通过控制N+电流通道8离子注入时栅电极13沟槽侧壁的掩膜厚度实现，且所述N‑积累型沟道9和或所述P‑反型沟道14紧邻栅电极13沟槽外侧壁。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖北九峰山实验室，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市东湖开发区关东科技工业园华光大道18号19层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励