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龙图腾网获悉中国电力科学研究院有限公司;国网江苏省电力有限公司泰州供电分公司申请的专利一种基于高介电常数电介质叉指电容的隔离芯片制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117650131B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311496342.2，技术领域涉及：H01L23/64；该发明授权一种基于高介电常数电介质叉指电容的隔离芯片制备方法是由李求洋;熊素琴;邹和平;郑安刚;成达;李扬;高天予;杨君中;杨森;许佳佳;陈思禹;杨松楠设计研发完成，并于2023-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于高介电常数电介质叉指电容的隔离芯片制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于高介电常数电介质叉指电容的隔离芯片制备方法，包括：在玻璃等绝缘衬底上沉积第一层铝等互联金属膜，并在第一层铝等互联金属膜的上面沉积一层光刻胶，并根据预先设计的光刻版图，刻蚀掉第一层铝等互联金属膜的中部金属区域覆盖的光刻胶，保留右侧的光刻胶，生长高介电常数电介质薄膜，生成第一层高介电常数电介质电容；在第一层高介电常数电介质左侧生长第二层高介电常数电介质电容；重复上述叉指操作直到在最顶端生长一层铝等互联金属膜；采用lift‑off工艺，刻蚀掉最顶层高介电常数电介质电容的中部光刻胶及其上方对应的铝等互联金属膜，左右两侧形成互联引线，生成隔离芯片。

本发明授权一种基于高介电常数电介质叉指电容的隔离芯片制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于高介电常数电介质叉指电容的隔离芯片制备方法，其特征在于，包括： 在绝缘衬底上沉积第一层互联金属膜，并在所述第一层互联金属膜的上面沉积一层光刻胶，并根据预先设计的光刻版图，刻蚀掉所述第一层互联金属膜的中部金属区域覆盖的光刻胶，保留右侧的光刻胶； 在所述第一层互联金属膜上生长高介电常数电介质薄膜，生成第一层高介电常数电介质电容； 在所述第一层高介电常数电介质上生长第二层互联金属膜，并在所述第二层互联金属膜上沉积一层光刻胶，并根据设计的所述光刻版图，刻蚀掉所述第二层互联金属膜的中部金属区域覆盖的光刻胶，保留左侧的光刻胶； 在所述第二层互联金属膜上生长高介电常数电介质薄膜，生成第二层高介电常数电介质电容，其中所述第二层高介电常数电介质的左边缘在所述第一层高介电常数电介质的左边缘左侧的第一预定距离处，所述第二层高介电常数电介质的右边缘在所述第一层高介电常数电介质的右边缘右侧的第二预定距离处； 根据所述第一层高介电常数电介质电容的生成方法生成第三层高介电常数电介质电容，并根据所述第二层高介电常数电介质电容的生成方法生成第四层高介电常数电介质电容，重复上述操作并在生成最后一层高介电常数电介质薄膜后，采用光刻的lift‑off工艺，溶解掉所有光刻胶； 在最顶层的高介电常数电介质薄膜表面沉积一层光刻胶，并根据所述光刻版图保留中部区域光刻胶，刻蚀掉左右两侧光刻胶，再生长一层互联金属膜； 采用lift‑off工艺，刻蚀掉最顶层高介电常数电介质电容的中部光刻胶及其上方对应的互联金属膜，左右两侧形成互联引线，生成隔离芯片。

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