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龙图腾网获悉佛山市国星半导体技术有限公司申请的专利一种LED晶圆片的裂片方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117672835B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311720783.6，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种LED晶圆片的裂片方法是由黎银英;刘佑芝设计研发完成，并于2023-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种LED晶圆片的裂片方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种LED晶圆片的裂片方法，涉及半导体技术领域，包括：在LED晶圆片的正面贴上白膜，并背面朝上放置在裂片机的工作台上；复位裂片机的劈刀和承受台；获取LED晶圆片正面的原始晶粒图像，并进行晶粒分区，LED晶圆片的内接正方形区域为A1区，非内接正方形区域为A2区；启动裂片机对LED晶圆片进行裂片；当劈刀仅对A2区进行劈裂时，承受台的间隙间距为c2；当劈刀对A1区和A2区同时进行劈裂时，承受台的间隙间距为c1，c1＞c2。本发明通过将LED晶圆片分区域，并使承受台对应使用不同的间隙间距，能有效减少双胞的产生，有利于提高LED芯片的制作质量。

本发明授权一种LED晶圆片的裂片方法在权利要求书中公布了：1.一种LED晶圆片的裂片方法，其特征在于，所述裂片方法包括以下步骤： S1、在完成划片的LED晶圆片的正面贴上白膜，并将所述LED晶圆片的背面朝上放置在裂片机的工作台上； S2、复位所述裂片机的劈刀和承受台； 使所述劈刀对准所述LED晶圆片的背面，使所述承受台对准所述LED晶圆片的正面，操作所述劈刀对准所述承受台的间隙中央； S3、操作所述裂片机的图像识别系统获取所述LED晶圆片正面的原始晶粒图像，并基于所述原始晶粒图像对所述LED晶圆片进行晶粒分区； 所述LED晶圆片的内接正方形区域为A1区，所述LED晶圆片的非内接正方形区域为A2区； S4、启动所述裂片机，所述劈刀基于所述晶粒分区所划分的区域对所述LED晶圆片进行裂片； 当所述劈刀仅对所述A2区进行劈裂时，控制所述承受台的间隙间距为c2；当所述劈刀对所述A1区和所述A2区同时进行劈裂时，控制所述承受台的间隙间距为c1，c1＞c2；单个完整晶粒的X轴方向的长度为a，单个完整晶粒的Y轴方向的长度为b，所述a、所述b和所述c1的约束关系为：a≤c1≤1.5a，或b≤c1≤1.5b；所述a、所述b和所述c2的约束关系为：0.5a≤c2≤0.8a，或0.5b≤c2≤0.8b； 其中，所述裂片方法还包括： 在启动所述裂片机之前，操作所述裂片机的激光测厚仪对所述LED晶圆片的厚度进行测量，解析出所述LED晶圆片的厚度整体分布，并计算出所述LED晶圆片的平均厚度h；将所述LED晶圆片上厚度大于所述平均厚度h的区域划分为H1区，将所述LED晶圆片上厚度等于所述平均厚度h的区域划分为H2区，将所述LED晶圆片上厚度小于所述平均厚度h的区域划分为H3区； 所述劈刀通过击锤敲击劈裂所述LED晶圆片，当所述劈刀将要劈裂的区域中，所述H1区的占比大于等于二分之一时，控制所述击锤的敲击力度为G1；当所述劈刀将要劈裂的区域中，所述H2区的占比大于等于二分之一时，控制所述击锤的敲击力度为G3；当所述劈刀将要劈裂的区域中，所述H3区的占比大于等于二分之一时，控制所述击锤的敲击力度为G4；当所述劈刀将要劈裂的区域中，所述H1区、所述H2区和所述H3区的占比均小于二分之一时，控制所述击锤的敲击力度为G2，G1＞G2＞G3＞G4。

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