买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉深圳市原速光电科技有限公司申请的专利一种原子层沉积薄膜的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117684153B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311478491.6，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权一种原子层沉积薄膜的制备方法是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2023-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种原子层沉积薄膜的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种原子层沉积薄膜的制备方法。上述制备方法包括以下步骤：A1在原子层沉积系统内放置衬底并注入第一隔离气体；A2通入第一前驱体和第一反应物；A3推动衬底在系统内往返运动；A4得到衬底ALD‑缓冲层，停止往返运动并抽真空，通入第二隔离气体；A5通入第二前驱体和第二反应物；A6推动ALD‑缓冲层衬底在系统内往返运动；A7得到衬底ALD‑缓冲层ALD‑SnO2膜层。本发明中两个膜层可通过同一台ALD设备在同一道生产工序中进行制备，极高的降低了生产成本、简化了生产流程、提高了生产效率。

本发明授权一种原子层沉积薄膜的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于反式结构钙钛矿太阳能电池原子层沉积薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤： A1 在原子层沉积系统内放置衬底并注入第一隔离气体； A2 通过通入第一前驱体和第一反应物，系统反应腔中形成由第一隔离气体区域分隔开的不接触的第一前驱体区域和第一反应物区域; A3 推动衬底往返运动，依次经过第一前驱体区域、第一隔离气体区域、第一反应物区域； A4 达到所需镀膜厚度后，得到衬底ALD‑缓冲层，停止往返运动并抽真空，通入第二隔离气体； A5 通过通入第二前驱体和第二反应物，系统反应腔中形成由第二隔离气体区域分隔开的不接触的第二前驱体区域和第二反应物区域； A6 推动ALD‑缓冲层衬底往返运动，依次经过第二前驱体区域、第二隔离气体区域、第二反应物区域； A7 达到所需镀膜厚度后，得到衬底ALD‑缓冲层ALD‑SnO2膜层； 所述第一前驱体为金属烷氧基配合物或金属烷基化合物； 当第一前驱体为金属烷氧基配合物时，第一反应物为羧酸类物质，当第一前驱体为金属烷基化合物时，第一反应物为多元羧酸或多元醇化合物。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市原速光电科技有限公司，其通讯地址为：518066 广东省深圳市宝安区西乡街道蚝业社区大铲湾蓝色未来科技园二期2栋1层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。