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龙图腾网获悉南方科技大学申请的专利一种GaN基反相器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117766580B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311604037.0，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种GaN基反相器及其制备方法是由于洪宇;杜方洲;汪青;文康尧;蒋洋;唐楚滢;张一;邓宸凯设计研发完成，并于2023-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种GaN基反相器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种GaN基反相器，所述GaN基反相器包括外延基底，所述外延基底上开设有沟道隔离槽，所述沟道隔离槽两侧分别设置有E‑mode器件和D‑mode器件，所述E‑mode器件和D‑mode器件之间通过金属连线相连；本发明在D‑modeHEMT器件上应用相同CTL介质层，实现对D‑mode阈值电压的调控，进而影响D‑mode器件的导通电阻，以调控ED‑mode器件在即将导通和导通状态下的电阻比例，优化反相器的输出摆幅和增益特性；通过调整GaND‑mode器件阈值电压，优化反相器的输出摆幅和增益特性，最大限度提升了GaN基反相器的工作性能。

本发明授权一种GaN基反相器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种GaN基反相器，其特征在于，所述GaN基反相器包括外延基底，所述外延基底上开设有沟道隔离槽，所述沟道隔离槽两侧分别设置有E‑mode器件和D‑mode器件，所述E‑mode器件和D‑mode器件之间通过金属连线相连； 其中，所述E‑mode器件和D‑mode器件均设有结构层、钝化层，所述钝化层对所述结构层实现部分或全部包裹； 所述结构层包括源极、漏极、栅极、CTL介质层； 所述源极与所述漏极沉积在所述外延基底上端面的两侧，所述源极与所述漏极之间沉积有CTL介质层，所述CTL介质层的上端面沉积有栅极； 所述源极、所述漏极和所述栅极上均沉积有贯穿所述钝化层的金属引脚，所述E‑mode器件的所述漏极的金属引脚与所述D‑mode器件的所述漏极的金属引脚、所述栅极的金属引脚通过金属连线相连； 所述CTL介质层远离基底的方向依次包括隧穿层、电荷俘获层和扩散阻挡层； 所述隧穿层选自Al2O3； 所述电荷俘获层选自HfAlO、ZnO、HfO2中的一种或多种； 所述扩散阻挡层选自Al2O3、HfO2中的一种或多种。

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