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龙图腾网获悉晶源半导体材料科技(沈阳)有限公司申请的专利大尺寸金刚石膜制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117778988B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410027873.5，技术领域涉及：C23C16/27；该发明授权大尺寸金刚石膜制备方法是由孔祥鹏;吴煦;吴向方;赵昱皓;金洪臣设计研发完成，并于2024-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本大尺寸金刚石膜制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种大尺寸金刚石膜制备方法。涉及半导体技术领域，解决了在制备大尺寸金刚石膜时，膜面均匀和光滑，镀膜质量差，制备周期过长的问题。该方法包括：S1：设置超长热丝的张紧装置；S2：对所述样品进行预处理；S3：将所述S2处理后的样品置于样品托盘上，将样品托盘放入所述反应室内的样品台上；所述样品与所述热丝之间的距离为10~40mm，所述样品托盘为石墨托盘或氧化铝陶瓷托盘；S4：进行金刚石薄膜沉积；所述样品表面的薄膜为所述大尺寸金刚石膜。

本发明授权大尺寸金刚石膜制备方法在权利要求书中公布了：1.一种大尺寸金刚石膜制备方法，其特征在于，所述方法应用于热丝CVD设备，所述热丝CVD设备具有反应室和位于所述反应室内的热丝和样品台，以样品为基底，在所述样品表面沉积所述大尺寸金刚石膜，所述方法包括以下步骤： S1：设置超长热丝的张紧装置； S2：对所述样品进行预处理； S3：将所述S2处理后的样品置于样品托盘上，将样品托盘放入所述反应室内的样品台上；所述样品与所述热丝之间的距离为10~40mm，所述样品托盘为石墨托盘或氧化铝陶瓷托盘； S4：进行金刚石薄膜沉积；所述样品表面的薄膜为所述大尺寸金刚石膜； 所述S4中所述进行金刚石薄膜沉积具体包括： S401：对所述反应室执行抽真空处理，持续向所述反应室以20sccm的速率通入甲烷、以500sccm的速率通入氢气，待所述反应室内压强至2000pa时，升高电流数值直至电流数值达到270A；所述电流以每分钟10A的速率先上升至150A，再调整为以每分钟5A的速率上升至270A； S402：持续向所述反应室内以12sccm的速率通入甲烷、以300sccm的速率通入氢气、以200sccm的速率通入氩气直至电流数值达到360A；所述电流以每分钟10A的速率由270A上升至360A； S403：升高所述样品台15mm，所述样品台与热丝间距13mm，持续20分钟向所述反应室内以15sccm的速率通入甲烷、以300sccm的速率通入氢气、以200sccm的速率通入氩气； S404：降低所述样品台5mm，所述样品台与热丝间距18mm，持续至少72小时向所述反应室内以12sccm的速率通入甲烷，以300sccm的速率通入氢气、以200sccm的速率通入氩气从而制得所述大尺寸金刚石膜。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人晶源半导体材料科技(沈阳)有限公司，其通讯地址为：110000 辽宁省沈阳市大东区滂江街22号长峰中心45-82室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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