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国投陶瓷基复合材料研究院(西安)有限公司张海昇获国家专利权

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龙图腾网获悉国投陶瓷基复合材料研究院(西安)有限公司申请的专利一种陶瓷基复合材料散热基板及制备方法和应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117923950B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311848874.8,技术领域涉及:C04B41/89;该发明授权一种陶瓷基复合材料散热基板及制备方法和应用是由张海昇;杨勇;成来飞;牛昌辉;王卿;付志强;崔雪峰设计研发完成,并于2023-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。

一种陶瓷基复合材料散热基板及制备方法和应用在说明书摘要公布了:本发明公开了一种陶瓷基复合材料散热基板及制备方法和应用,涉及陶瓷散热基板制备技术领域。该散热基板包括:CfSiC层、CVD‑SiC层、硅纳米层和硅化铜层;CVD‑SiC层包覆在CfSiC层的外表面,硅纳米层覆盖在CVD‑SiC层的上表面,硅化铜层覆盖在硅纳米层的上表面;CfSiC层为碳纤维布增强的碳化硅陶瓷基复合材料。本发明制得的陶瓷基复合材料散热基板热导率>296Wm·K,断裂韧性高,抗折强度高,适合在大功率模块上使用。本发明解决了现有技术中陶瓷散热基板的热导率低的问题。

本发明授权一种陶瓷基复合材料散热基板及制备方法和应用在权利要求书中公布了:1.一种陶瓷基复合材料散热基板,其特征在于,所述散热基板包括:CfSiC层2、CVD‑SiC层3、硅纳米层4和硅化铜层5;所述CVD‑SiC层3包覆在CfSiC层2的外表面,所述硅纳米层4覆盖在CVD‑SiC层3的上表面,所述硅化铜层5覆盖在硅纳米层4的上表面;所述CfSiC层2为碳纤维布1增强的碳化硅陶瓷基复合材料; 所述硅化铜层5采用真空金属熔融工艺制得。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人国投陶瓷基复合材料研究院(西安)有限公司,其通讯地址为:710199 陕西省西安市高新区毕原一路西段912号三层312室;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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