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龙图腾网获悉西安电子科技大学广州研究院申请的专利一种增强型p沟道氮化镓场效应晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118213404B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410255674.X，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权一种增强型p沟道氮化镓场效应晶体管及其制备方法是由张苇杭;刘茜;吴银河;冯欣;刘志宏;张进成;郝跃设计研发完成，并于2024-03-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种增强型p沟道氮化镓场效应晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种增强型p沟道氮化镓场效应晶体管及其制备方法，结构包括：衬底层、GaN缓冲层、i‑GaN沟道层、第一AlN层、InAlN势垒层、第二AlN层和p‑GaN层形成的台面结构；p‑GaN层上表面两侧区域分别设置有源、漏电极；两电极之间的部分表面区域通过刻蚀多个平行于源漏沟道的凹槽形成有多个T型Fin结构；凹槽的刻蚀深度达到i‑GaN沟道层且不超过该层下表面；在整个台面结构上表面和侧面覆盖有栅介质层，栅介质层覆盖T型Fin结构的表面、侧面和各凹槽的底部表面；源漏电极表面的栅介质层上设置有开孔；在T型Fin结构的表面、侧面和各凹槽的底部表面的栅介质层上设置有一层栅电极。本发明能增强栅极控制能力，降低漏电，抑制短沟道效应，可调控阈值电压，提升器件性能。

本发明授权一种增强型p沟道氮化镓场效应晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种增强型p沟道氮化镓场效应晶体管，其特征在于，包括： 由自下而上设置的衬底层1、GaN缓冲层2、i‑GaN沟道层3、第一AlN层4、InAlN势垒层5、第二AlN层6和p‑GaN层7形成的台面结构；其中所述台面结构以所述i‑GaN沟道层3中预设水平位置为分界，下方投影面积大于上方投影面积；所述p‑GaN层7上表面的两侧区域分别设置有源电极8和漏电极9；所述源电极8和漏电极9之间的部分表面区域通过刻蚀多个平行于源漏沟道的凹槽形成有多个T型Fin结构10；其中，由部分i‑GaN沟道层3、第一AlN层4、InAlN势垒层5、第二AlN层6和p‑GaN层7形成的每个突起状结构为一个T型Fin结构10，其呈现上宽下窄的T型样式；所有凹槽的刻蚀深度达到所述i‑GaN沟道层3且不超过所述i‑GaN沟道层3的下表面；在包括所述源电极8和所述漏电极9的台面结构上表面和侧面覆盖有栅介质层11，且栅介质层11覆盖所述多个T型Fin结构10的表面、侧面和各凹槽的底部表面；所述源电极8和所述漏电极9表面的栅介质层11上设置有开孔；在所述多个T型Fin结构10的表面、侧面和各凹槽的底部表面的栅介质层11上设置有一层栅电极12。

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