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龙图腾网获悉希力微电子(深圳)股份有限公司申请的专利一种降低输入电容的沟槽栅超结器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118231472B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410506859.3，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种降低输入电容的沟槽栅超结器件及其制备方法是由周治红;喻范博;周列设计研发完成，并于2024-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种降低输入电容的沟槽栅超结器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种降低输入电容的沟槽栅超结器件，包括超结结构电荷平衡区以及位于超结结构电荷平衡区顶部的体区，所述超结结构电荷平衡区包括交替分布的第一导电类型柱和第二导电类型柱，其中，第一导电类型柱顶部的体区内设置有沟槽栅，所述沟槽栅靠近第二导电类型柱的其中一侧设置有源区，且所述源区位于第一导电类型柱中的体区内；所述源区通过源极接触孔连接至源极金属。本发明申请提供的一种降低输入电容的沟槽栅超结器件，通过改变源区的位置以及源区与沟槽栅的连接关系，降低超结MOSFET器件的输入电容，提高MOSFET器件的开启速度。

本发明授权一种降低输入电容的沟槽栅超结器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种降低输入电容的沟槽栅超结器件的制备方法，其特征在于，包括： 在第一导电类型衬底表面形成超结结构电荷平衡区，所述超结结构电荷平衡区包括交替分布的第一导电类型柱和第二导电类型柱； 通过离子注入加推阱工艺在第一导电类型柱中沟槽栅的其中一侧形成体区； 在第一导电类型柱的顶部刻蚀形成填充沟槽，在填充沟槽内填充沟槽栅； 在体区内通过多晶硅自对准工艺掺杂第一导电类型重掺杂区域形成源区；所述源区位于第一导电类型柱中的体区内，且源区位于靠近第二导电类型柱的其中一侧；在第二导电类型的体区内通过多晶硅自对准工艺掺杂第一导电类型重掺杂区域形成源区，用于形成沟道； 在超结结构电荷平衡区顶部及体区内刻蚀形成源极接触孔；源极接触孔同时位于第一导电类型柱和第二导电类型柱内；且源极接触孔位于第一导电类型柱的边缘，位于第二导电类型柱的中心；采用离子注入加推阱工艺在源极接触孔的底部形成第二掺杂区，第二掺杂区的掺杂类型与体区的掺杂类型相同，且第二掺杂区的掺杂浓度大于体区的掺杂浓度； 填充源极金属，所述源区通过源极接触孔连接至源极金属； 在第一导电类型衬底背面形成漏极。

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