上海交通大学黄富强获国家专利权
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龙图腾网获悉上海交通大学申请的专利一种层状多硫化物正极材料及制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118248871B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410334928.7，技术领域涉及：H01M4/58；该发明授权一种层状多硫化物正极材料及制备方法及应用是由黄富强;顾榕设计研发完成，并于2024-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种层状多硫化物正极材料及制备方法及应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种层状多硫化物正极材料及制备方法及应用，所述层状多硫化物的化学式为Nb3TiP2S18Se3，所述Nb3TiP2S18Se3是通过对母体材料Nb4P2S21进行Ti、Se共掺杂得到，其中Ti占据Nb位，Se占据S位。作为正极材料，Ti掺杂可以稳定Nb4P2S21的结构，而Se掺杂可以提高导电性。通过Nb或NbS2、Ti、P或P2S5和S、Se作为原料混合，在真空高温条件下反应得到具有纳米颗粒状形貌的Nb3TiP2S18Se3正极材料，相比未掺杂样品Nb4P2S21，所制备的Nb3TiP2S18Se3正极材料具有更优异的电化学性能。
本发明授权一种层状多硫化物正极材料及制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种层状多硫化物正极材料，其特征在于，所述层状多硫化物的化学式为Nb3TiP2S18Se3，Nb3TiP2S18Se3是通过对母体材料Nb4P2S21进行Ti、Se共掺杂得到，其中Ti占据Nb位，Se占据S位，所述正极材料中具有[PS4][PSe4]结构基元和[NbS6][NbSe6]结构基元，[PS4][PSe4]结构基元具备强P‑SP‑Se键，能够锚定多硫化物。
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